1200V HighSpeed3 H3 IGBT系列是硬开关和软开关拓扑结构的理想选择。该系列为开关损耗树立了新标杆，推荐用于开关频率为20 kHz以上的拓扑。超短尾电流和低关断损耗（比最接近的竞争对手低25%）是该系列的主要特性，将该系列用在您的设计中，最高可提升15%的效率。该系列不仅做到了低开关损耗，而且导通损耗也很低。这得益于TRENCHSTOP™技术，该技术可以实现极低的导通损耗 Vce(sat)。此外，也对duo pack的续流二极管进行了优化，可在实现快速恢复的同时维持高软度。

打破开关速度极限IKW15N120H3、IKW25N120H3 1200V IGBT 晶体管 通孔 TO247 —— 明佳达

1、IKW15N120H3 IGBT 1200V 30A 217W 通孔 PG-TO247-3-1

IGBT 类型：沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：60 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，15A

功率 - 最大值：217 W

开关能量：1.55mJ

输入类型：标准

栅极电荷：75 nC

25°C 时 Td（开/关）值：21ns/260ns

测试条件：600V，15A，35 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：260 ns

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

2、IKW25N120H3 IGBT 1200V 50A 326W TO247-3

IGBT 类型：沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：100 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，25A

功率 - 最大值：326 W

开关能量：2.65mJ

输入类型：标准

栅极电荷：115 nC

25°C 时 Td（开/关）值：27ns/277ns

测试条件：600V，25A，23 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：290 ns

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：PG-TO247-3-1

目标应用：

焊接逆变器

太阳能逆变器

不间断电源（UPS）

所有硬开关应用和软开关应用

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