一、HyperFlash NOR 闪存概述

S26KS128S（128Mb）HyperFlash™ NOR闪存采用小型 8x6mm 球栅阵列 (BGA) 封装，与 Quad SPI 和双 Quad SPI 部件共享一个共同占位面积，以简化电路板布局。 这些器件非常适合用于高性能应用，如汽车仪表板、通信系统、工业自动化和医疗设备。这些应用需要极高的读取带宽，以实现即时接通要求的快速启动时间；另外还需要低引脚数接口，以降低封装尺寸和 PCB 成本。

二、技术参数

1、S26KS128SDPBHI020 存储器 IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA（6x8）

存储器类型：非易失

存储器格式：闪存

技术：FLASH - NOR

存储容量：128Mb

存储器组织：16M x 8

存储器接口：并联

时钟频率：166 MHz

写周期时间 - 字，页：-

访问时间：96 ns

电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V

工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：24-VBGA

2、S26KS128SDPBHN020 HyperFlash™ KS NOR闪存 128MBIT PAR 24FBGA

存储器类型：非易失

存储器格式：闪存

技术：FLASH - NOR

存储容量：128Mb

存储器组织：16M x 8

存储器接口：并联

时钟频率：166 MHz

写周期时间 - 字，页：-

访问时间：96 ns

电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V

工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：24-VBGA

供应商器件封装：24-FBGA（6x8）

基本产品编号：S26KS128

三、引脚封装

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