W25Q32JW/W25Q32JV(32M位)串行闪存为空间、针脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双通道/四通道SPI(XIP)执行代码以及存储语音、文本和数据。
功能框图:
一,W25Q32JV 3V 32M位串行闪存,具有双通道、四通道SPI
W25Q32JV(32M位)串行闪存阵列分为16,384个可编程页面,每个页面256字节。一次最多可编程256个字节。页面可以以16个为一组(4KB扇区擦除)、128个为一组(32KB块擦除)、256组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。W25Q32JV分别具有1,0 24个可擦除扇区和64个可擦除块。4KB小扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。
W25Q32JVUUIQ SPIFLASH, 3V, 32M-BIT, 4KB UNIFO
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NOR(SLC)
存储容量:32Mb
存储器组织:4M x 8
存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI
时钟频率:133 MHz
写周期时间 - 字,页:3ms
访问时间:6 ns
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:8-USON(4x3)
二、W25Q32JW 1.8V 32M位串行闪存,具有双通道、四通道SPI
W25Q32JW (32M-bit) 串行闪存阵列分为16,384个可编程页面,每个页面256字节。一次最多可编程256个字节。页面可以以16个为一组(4KB扇区擦除)、128个为一组(32KB块擦除)、256组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。W25Q32JW分别具有1,0 24个可擦除扇区和64个可擦除块。4KB小扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。该器件采用1.7V至1.95V电源供电,关断模式下功耗低至0.1µA。
W25Q32JWSSIQ存储器IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NOR
存储容量:32Mb
存储器组织:4M x 8
存储器接口:SPI - 四 I/O
时钟频率:133 MHz
写周期时间 - 字,页:5ms
电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
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