摘要

这些分立式GaAs pHEMT采用经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺设计。该工艺在高漏极偏置工作条件下通过先进的技术优化微波功率和效率。这些器件的工作频率范围为直流至20GHz。凭借这种性能水平，这些器件非常适合用于高效率应用。该器件采用带氮化硅的保护层，可提供环境稳健性和防刮痕保护。

应用

通信

雷达

点对点无线电

卫星通信

1、QPD2018D —— 180um分立式GaAs pHEMT

特性

工作频率范围：直流至20GHz

P1dB输出功率：22dBm（典型值）

增益：14dB（12GHz时典型值）

PAE：55%（12GHz时典型值）

NF：1dB（12GHz时典型值）

无通孔

0.25um GaAs pHEMT技术

芯片尺寸：0.41mm x 0.34mm x 0.10mm

无铅，符合RoHS指令

2、QPD2025D —— 250um分立式GaAs pHEMT

特性

工作频率范围：直流至20GHz

P1dB输出功率：24dBm（典型值）

增益：14dB（12GHz时典型值）

PAE：58%（12GHz时典型值）

NF：0.9dB（12GHz时典型值）

无通孔

0.25um GaAs pHEMT技术

芯片尺寸：0.41mm x 0.34mm x 0.10mm

无铅，符合RoHS指令

3、QPD2040D——400um分立式GaAs pHEMT

功能

工作频率范围：直流至20GHz

P1dB输出功率：26dBm（典型值）

增益：13dB（12GHz时典型值）

PAE：55%（12GHz时典型值）

NF：1.1dB（12GHz时典型值）

无通孔

0.25um GaAs pHEMT技术

芯片尺寸：0.41mm x 0.34mm x 0.10mm

无铅，符合RoHS指令

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