随着额半导体技术的飞速发展，集成电路的封装技术也在不断严谨中，传统的封装方法需要在晶圆切割成单个芯片之后进行封装，这种做法不仅增加了工艺复杂度，还限制了封装效率的提升，为了克服这些难题，晶圆级封装（WLP）应运而生，下面将谈谈晶圆级封装技术。

1、晶圆级封装是什么？

晶圆级封装是一种先进的封装技术，它直接在晶圆上完成封装流程，无需先切割成单个芯片，此技术是在晶圆级别上实现封装，有效提升封装效率与集成度。

2、晶圆级封装技术的核心工艺流程

①晶圆准备

选用已经完成电路制造的晶圆，表面覆盖有钝化层以保护电路。

②薄膜沉积与光刻胶涂覆

在钝化层上沉积金属薄膜（如Ti/Cu/Cr/Au），作为电镀种子层；

涂覆厚光刻胶，并通过曝光显影形成图形化区域。

③铜电镀

在图形化的光刻胶上电镀铜层，构建厚重的再布线层（RDL），实现PAD信号的引出。

④光刻胶去除与薄膜蚀刻

移除光刻胶，暴露未保护的金属层；

使用湿法蚀刻去除未被光刻胶保护的金属薄膜部分。

5、介电层涂覆

在技术结构上涂覆介电材料（如氧化硅或PI），以此隔离和保护金属层。

6、锡球安装

在介电层上的预定位置安装锡球，用于芯片与电路板的电气连接。

通过以上步骤，晶圆级封装工艺完成，实现了在晶圆级别上的高效封装，为后续芯片切割与测试奠定基础。

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