Cool-MOS（超级结MOSFET）以其快速开关特性和低功耗在高频开关电源等领域得到广泛应用。然而，在实际应用中，Cool-MOS系统也面临着一系列问题。本文将直接列出Cool-MOS系统应用中的常见问题，以便工程师快速识别和解决。

一、EMI超标

快速开关特性：Cool-MOS的极快开关速度（高dv/dt和di/dt）会通过器件和PCB中的寄生元件产生严重的EMI干扰。

电源板设计余量小：在替换VDMOS时，若电源板设计余量较小，极易导致EMI超标。

二、栅极震荡

引线电感和寄生电容：Cool-MOS的高dv/dt特性会加剧由引线电感和寄生电容引起的栅极振铃现象。

启动、过载及并联工作：在启动、过载或MOSFET并联工作时，栅极震荡问题尤为严重，可能导致MOSFET失效。

三、抗浪涌及耐压能力差

结构原因：SJ-MOS的结构特点使其在某些应用中表现出抗浪涌及耐压测试不合格的情况。

通信电源及雷击要求高的产品：在通信电源及对雷击要求较高的电源产品中，此问题更为突出。

四、漏源极电压尖峰大

反激电路拓扑：在反激电路拓扑中，变压器漏感、散热器接地及电源地线处理不当会在MOSFET上产生电压尖峰。

SJ-MOS快速开关速度：Cool-MOS的快速开关速度会加剧电压尖峰问题，可能导致VD尖峰失效。

五、纹波噪音差

高dv/dt和di/dt：Cool-MOS的高dv/dt和di/dt会将尖峰通过变压器耦合到次级，增加输出电压和电流的纹波。

电容温升失效：严重的纹波问题甚至可能导致电容温升失效。

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