9月2日,韩国PCB厂商Simmtech(信岱)与韩国忠清北道及清州市签署投资协议(MOU),将分阶段投入总计4000亿韩元,扩大AI服务器用下一代基板生产能力。其中最受关注的是,公司将新建SOCAMM存储器模块专用工厂——SOCAMM正是英伟达下一代AI加速器平台"Vera Rubin"中Vera CPU所采用的存储器模块。在AI服务器硬件迭代加速的背景下,韩国基板厂商正围绕英伟达新平台提前锁定产能。

▲ SOCAMM内存模块基板工厂等距图
4000亿韩元落子清州,新增员工100名
据《Simmtech:投资4000亿韩元扩建AI服务器PCB产线》(http://m.toutiao.com/group/7680876972263653898/)报道,Simmtech此次新设施位于清州市兴德区玉山面,占地16529平方米;同时在现有清州工厂的闲置空间同步扩建,新建生产车间与办公楼总建筑面积11349平方米,项目完成后将新增员工100名。
据《Simmtech to Invest 400 Billion Won to Expand AI Substrate Capacity》(https://www.thelec.net/news/articleView.html?idxno=13591)披露,Simmtech董事会已于8月25日批准2742亿韩元的新设施投资,投资周期至2027年12月。
SOCAMM专用工厂绑定英伟达Vera Rubin平台
本次投资的核心,是新建SOCAMM(Small Outline Compression Attached Memory Module,小外形压缩贴装存储模块)模块专用工厂。SOCAMM是英伟达下一代AI加速器平台"Vera Rubin"中Vera CPU的存储器模块,单个模块搭载4个LPDDR5X封装。相比传统内存条形态,SOCAMM采用压缩贴装方式,信号完整性与供电效率更优,被视为AI服务器内存模组的重要演进方向。
Simmtech同时将扩建SOCAMM用LPDDR5X多芯片封装(MCP)基板产能。AI服务器对内存带宽与容量的需求持续攀升,新一代平台对模块基板的布线密度、电源完整性设计提出了更高要求,这也给具备精密基板能力的厂商带来确定性订单。
mSAP高多层基板与系统IC基板同步扩产
除SOCAMM相关产线外,Simmtech还将增设高多层微细电路(mSAP)基板与系统IC用半导体基板产线。mSAP(改良型半加成法)工艺在绝缘层上形成薄铜层后再电镀制作电路,布线更加精细,适用于高集成度、高多层基板,是当前高端封装载板与系统级基板的主流工艺方向之一。
从投资分配看,已批准的2742亿韩元投资中,SOCAMM模块PCB扩产占1459亿韩元,高多层mSAP基板占1051亿韩元,系统IC半导体基板占232亿韩元,AI相关方向占比超过九成。
产能目标:新增约4500亿韩元年产能,2028年起投产
按规划,第一阶段投资完成后,Simmtech的SOCAMM模块年产能(以营收计)将从3000亿韩元扩大至5000亿韩元;MCP等半导体封装基板将新增约2500亿韩元年产能,合计新增约4500亿韩元年产能,新产线预计2028年起陆续投产。客户方面,Simmtech产品供货三星电子、SK海力士、美光、英特尔等国内外半导体企业,覆盖存储与处理器两大芯片阵营。在元器件供应链中,基板厂深度绑定头部芯片客户的特征十分明显。
行业视角:AI服务器基板竞赛向内存模组延伸
Simmtech此次扩产反映出一个清晰趋势:AI算力竞争正从GPU核心板卡向内存模组、供电与互联等"周边"环节扩散。SOCAMM作为英伟达新平台的关键部件,其供应链布局节奏直接关系到下一代AI机柜的量产时间。对国内PCB与载板从业者而言,海外厂商围绕新平台的资本开支动向,既是技术路线的参照,也预示着未来高端基板领域的竞争将更加激烈。
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