RDS(on)降低，只能直接减少导通损耗。开关电源里还要看栅极电荷、输出电容、反向恢复、开关频率和驱动能力；如果开关损耗占比更高，换一颗低阻MOS，整机效率未必有明显变化。

做电源优化时，很容易先盯着MOS的RDS(on)。旧料是8mΩ，新料只有4mΩ，按理说导通损耗应该降一截。结果样机换完，效率只变了零点几，甚至在某些负载点还更差。

这不一定是测试出错。MOS不是只靠一个电阻参数决定损耗，尤其在高频开关电源里，导通损耗和开关损耗要放在一起看。

MOS完全导通时，通道损耗可以先用I²×RDS(on)估算。但要用实际栅极驱动电压下的RDS(on)，还要留意结温。数据手册里的典型值可能是在10V VGS、25℃条件下测得；如果驱动只有4.5V，或者MOS已经很热，实际电阻可能更高。

另外，Buck高边和低边MOS的电流波形、导通时间不同，不能只拿一个电流值乘一次电阻，就当成整颗电源的全部MOS损耗。

图1：VDS与ID在开关转换期间重叠，会形成额外的开关损耗。

在同一工艺和耐压等级下，要把导通电阻做得更低，往往需要更大的芯片面积；随之增加的可能还有Qg、Qgd和Coss。栅极电荷变大，驱动器每个开关周期要搬运的电荷更多；Qgd和输出电容相关的能量，也会影响开关转换过程。频率越高，这些每周期损耗累加得越明显。

所以选MOS时不能只按RDS(on)从低到高排。TI的选型资料也强调，开关应用要在导通损耗、栅极电荷和开关损耗之间做权衡。

图2：RDS(on)与Qgd常被放在一起比较，单独追求最低导通电阻并不总是最优。

如果工作在较高开关频率，先看VDS与ID的开关波形、栅极驱动是否够强，以及开通和关断期间电压、电流重叠的时间。同步整流场景还要留意死区期间的体二极管损耗和反向恢复；有些设计里，Qrr或Coss带来的损耗可能比省下来的几毫欧更显眼。

如果MOS温度确实下降了，但整机效率几乎不变，说明MOS导通损耗可能不是当前最大的损耗项。电感铜损、磁芯损耗、整流器件和驱动损耗也要一起看。

图3：导通电阻、栅极电荷和驱动损耗对应不同损耗项，选型需要权衡。

换料前后要在相同输入电压、输出电压、负载、频率和散热条件下比较，最好把轻载、中载、满载几个点都测一遍。再对照两颗MOS的RDS(on)测试条件、Qg/Qgd、Coss和反向恢复参数，而不是只比较首页的典型电阻。

图4：Miller平台和Qgd会影响开关转换时间，进而影响动态损耗。

低阻MOS不一定不好，关键是它是否适合当前频率、驱动能力和工作电流。真正值得换的，是在目标工况下能降低总损耗的那一颗。