在同一片半导体的基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成勒PN结。 内电场越强，就使偏移运动越强，而飘逸使空间电荷区变薄。

在深圳电路设计中，经常会碰到一些功耗较高的元器件，如电源芯片、MOSFET、IGBT等。线型电源芯片选择时，知道输入电源、输出电源、以及输出电流时，以前个人做法就是，稳定工作时，电源芯片的外壳不烫手，所以尽量选择大一点的外壳封装芯片。如24V电源转18V电源，需要输出电流100mA，可选用78系列芯片，其封装有直插TO220、TO92，贴片TO236、TO89、TO252、SO8等等，这些芯片输出电压18V，输出电流都大于100mA，如何选择呢？