近日，知名市场调查机构Yole Dédevelopement发布《内存行业年度状况报告》，报告中分析了2022年DRAM和NAND闪存芯片市场的发展趋势及预测，今天将为小伙伴们划出重点。
报告中指出，2022年，DRAM市场将增长为25%，市场营收为1180亿美元；NAND闪存市场增长为24%，市场营收为830亿美元，均创历史新高。据研究机构分析，2021-2027年内，全球独立内存市场将以8%的CAGR增长至2600多亿美元，保持着稳定增长的趋势，但季节性因素仍将存在。
据外媒报道，知名专家西蒙·贝托拉齐（Simone Bertolazzi）表示“在贸易摩擦和新冠疫情爆发的情况下，过去两年内独立内存市场一直在扩张。2020年和2021的收入分别增长了15%和32%，如此显著的增长是大多数细分市场的生产受限和需求强劲增长共同推动的。”
自1987年来，NAND设备的位密度和成本不断提高，为满足日益高涨的需求及规模，众多企业组织正在深入研究新的技术解决方案，这其中包括CBA体系结构，如长江存储的Xtacking方法。
直到现在，大部分的存储器制造厂商都在使用混合键合设备进行研发。铠侠、西部世界和三星等主要供应商正在采取措施，将晶圆对晶圆键合纳入NAND路线图。
而在DRAM业务上，西蒙指出当前的共识，即使通过光刻EUV工艺，也不足以在未来十年提供所需的位密度改善，所以主要NAND设备供应商和制造商正在考虑将单片3D DRAM（相当于3D NAND的DRAM）作为长期扩展的潜在解决方案，而这种新型3D技术或在2029-2030年进入市场，被广泛应用。