凡亿专栏 | IMW120R007M1HXKSA1 1200V SiC沟槽式MOSFET
IMW120R007M1HXKSA1 1200V SiC沟槽式MOSFET

产品概述

IMW120R007M1HXKSA1 CoolSiC 1200V SiC沟槽式MOSFET将碳化硅的强大物理特性与提高器件性能、可靠性和易用性的独特特性结合在一起。CoolSiC 1200V SiC沟槽式MOSFET基于先进的沟槽半导体工艺,经过优化可提供 最低应用损耗和最高运行可靠性。  这些器件适用于在高温和恶劣环境中运行,能够以最高的系统效率实现简化和有效的部署。

IMW120R007M1H CoolSiC 1200V SiC沟槽式MOSFET采用紧凑的TO-247-3和TO-247-4封装。TO-247-4封装包含与源极的额外连接(Kelvin连接),它用作栅极驱动电压的参考电位,从而消除电压降在源极电感上的影响。因此,开关损耗甚至低于TO-247-3版本,尤其是在电流更大、开关频率更高的情况下。

产品.png

参数:IMW120R007M1H  /IMW120R007M1HXKSA1

FET 类型:N 通道

技术:SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss):1200V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):225A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9.9 毫欧 @ 108A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.2V @ 47mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):220 nC @ 18 V

Vgs(最大值):+20V,-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):9170 nF @ 25 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):750W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:PG-TO247-3

封装/外壳:TO-247-3

应用——

光伏逆变器 ( (PV)

能力存储和电池充电

不间断电源 (UPS)

开关模式电源 (SMPS)

工业驱动器

医疗设备

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