产品概述
IMW120R007M1HXKSA1 CoolSiC 1200V SiC沟槽式MOSFET将碳化硅的强大物理特性与提高器件性能、可靠性和易用性的独特特性结合在一起。CoolSiC 1200V SiC沟槽式MOSFET基于先进的沟槽半导体工艺,经过优化可提供 最低应用损耗和最高运行可靠性。 这些器件适用于在高温和恶劣环境中运行,能够以最高的系统效率实现简化和有效的部署。
IMW120R007M1H CoolSiC 1200V SiC沟槽式MOSFET采用紧凑的TO-247-3和TO-247-4封装。TO-247-4封装包含与源极的额外连接(Kelvin连接),它用作栅极驱动电压的参考电位,从而消除电压降在源极电感上的影响。因此,开关损耗甚至低于TO-247-3版本,尤其是在电流更大、开关频率更高的情况下。
参数:IMW120R007M1H /IMW120R007M1HXKSA1
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):225A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9.9 毫欧 @ 108A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.2V @ 47mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):220 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):9170 nF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):750W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:PG-TO247-3
封装/外壳:TO-247-3
应用——
光伏逆变器 ( (PV)
能力存储和电池充电
不间断电源 (UPS)
开关模式电源 (SMPS)
工业驱动器
医疗设备
注:本文部分内容与图片来源于网络,版权归原作者所有。如有侵权,请联系删除!
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