电路保护主要可分为过压保护和过流保护，想要有高效可靠的电路，选择适当的电路保护元件是必不可少的。在电路保护元件中，GDT（气体放电管）、MOV（压敏电阻）和TVS（瞬态抑制二极管）是最为常见的，如何选？1、GDT（气体放电管）直流击穿电压：

在电子工程设计中，电阻器是使用频率极高的基础元件，直接决定着电路性能与稳定性，其中之一是压敏电阻器，工程师如何选购它？1. 标称电压的准确性标称电压必须精确匹配应用电路的过电压阈值，过高则无法有效保护，过低则易导致误动作或击穿。2. 最大连

MOS管作为电子电力系统中的核心元件，其稳定性和可靠性是很多工程师的重点之重，其中SOA失效是MOS管常见的失效模式之一，主要由于超出其安全工作区域而导致的热损坏或电气击穿，那么如何预防？1、如何判断MOS管是否SOA失效？①监测温度：最直

雪崩二极管是一种特殊的半导体器件，其独特的雪崩击穿特性在电路设计中有着广泛的应用，特别是在防止过电压方面表现出色，然而伴随这一特性而来的，是雪崩二极管在特定条件下产生的噪声问题，这是如何产生？1、雪崩击穿过程的不连续性雪崩二极管的噪声主要源

爬电距离是指在两个电子部分之间，沿着绝缘材料表面测量的最短距离，这个距离是放置高电压或高湿度等恶劣环境下发生电气击穿和漏电现象的关键。在PCB设计中，爬电距离的计算和设置必须遵循相关的安全标准和规范，以此确保产品的电气安全。PCB爬电距离的

在开关电源中，如果我们把整个电源比作人体的话，那么MOS管就相当于我们的大脑，相对于大脑对我们人体的控制，MOS管同样的对电源的整体输出控制起到了决定性的作用。 关于MOS管，有很多的参数，比如耐压值、击穿值、最大额定功率、额定电压等等，我们之前也说了很多关于MOS管该

在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及在设计应用中注意事项。一、半导体器件击穿原理PN结I-V曲线如图[1]所示：PN结正向导通，反向截止；反向电压超过一定限值VBR，器件发生电击穿；正向导通时，电流超

INN3670C：集成了高压初级侧开关、同步整流、FluxLink反馈的离线反激式恒压/恒流准谐振开关电源ICINN3670C-H615-TL 离线转换器 60kHz 开关频率输出隔离：隔离内部开关：是电压 - 击穿：750V拓扑：反激，次

电感、电阻、导线本身并不是保护器件，但在多个不同保护器件组合构成的防护电路中，可以起到配合的作用。防护器件中，气体放电管的特点是通流量大、但响应时间慢、冲击击穿电压高；TVS管的通流量小，响应时间最快，电压钳位特性最好；压敏电阻的特性介于这两者之间，当一个防护电路要求整体通流量大，能够实现精细保护的

MOS管本质上属于静电放电（ESD）敏感器件，本身的输入电阻很高，但栅源极间电容很小，所以相对于其他元件，MOS管更容易受到外界电磁场或静电的感应而带电，也会在强静电场合难于泄放电荷，静电击穿现象更明显。那么如何解决这个问题？一般来说，静电

在集成电路中，若电子系统正常工作，ESD器件的作用几乎忽略不计，但当外部接口电压超过ESD器件的击穿电压时，ESD器件将开始起作用，起到很大的作用，它可将电流分流到地，保护后级敏感电子元件免受静电损坏。当然，可能很多小白不清楚，所以下面细说

在现代电子设备中，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）是一种常见的元件，具有很多优秀的特性，如高阻抗、低噪声、易于驱动等，但在设计过程中，会发现MOS管刚通电就被烧毁，这是怎么回事？首先，MOS管在刚通电的瞬间就可能被烧毁。这种问题可能

整流二极管是一种常见的电子元件，主要用于将交流电转换为直流电。在使用整流二极管的过程中，有时会出现击穿的情况，导致元件失效。那么，整流二极管击穿的原因是什么呢？本文将为您详细介绍。1. 过电压整流二极管在正向工作时，其正向电压一般在0.6V

作为电子工程师，想必对MOS管（金属氧化物半导体场效应管）不陌生吧，MOS管在多种电路非常重要，但在实际应用中可能会存在一定的风险，其中之一就是静电击穿，下面我们来看看，MOS管是否能被静电击穿？1、什么是静电击？一般来说，静电击穿是指由于