在电子电力系统中，Cool-MOS是一种高性能的功率半导体器件，广泛应用，但在实际应用中可能遇到不少问题，影响到系统的稳定性和可靠性，所以盘点下Cool-MOS会遇到哪些问题？1、电磁干扰超标Cool-MOS在高频率开关过程中，可能会产生强

之前讲了电源的一次侧变压器的选型、磁芯选择及绕线方法，今天来说一下二次侧的设计。 首先选择好变压器后，我们就要选择功率半导体器件了，因为Vdss>Vin>382V，所以我们一般取常用的500V耐压，Id>Iin>2.75A，我们就取大于4A的器件，我个人采用的是IRF730器件。

HL型栅极驱动器（High Level Gate Driver）是一种用于驱动功率半导体器件（如MOSFET和IGBT）的电路。它的主要功能是在输入信号的高低电平之间提供适当的电压和电流，以控制功率半导体器件的导通和截止。HL型栅极驱动器通

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种常见的功率半导体器件，具有高电压、高电流和高速开关等特点。在现代电力电子应用中，IGBT单管和IGBT模块是两种常见的形式。虽然它们都具有类似的结构和工作原

昨天我们开篇了功率模块，从功率模块的基本分层结构了解了除了半导体芯片之外的几大配置，今天我们来聊聊其中的绝缘衬底，一般会被叫作陶瓷基板，因为这种材料使用的最多，当然还有其他一些适合作为绝缘衬底的材料......绝缘衬底主要是作为半导体芯片的底座，同时会在绝缘衬底上沉积导电材料、绝缘材料和阻性材料，还

日本顶级汽车零部件供应商电装公司，已开发出一种用于电动车辆的功率半导体器件，可减少20%的能量损失。这款技术能为公司在电动汽车这一拥挤的市场中脱颖而出发挥更大作用。据《日经亚洲评论》报道，电装新型RC-IGBT将二极管集成到一种称为绝缘栅双

熟悉电路设计的小伙伴们都知道，在电源设计中，散热和电磁干扰（EMC）是困扰工程师的最大难题，以LED电源电路问题最甚。一般来说，LED电源最大的特点是在导通时，电压低、电流大；在关断时，电压高、电流小，因此功率半导体器件上所产生的的损耗很小

新基建加速SiC功率器件规模化应用-SiC功率器件作为一种新型功率器件，在新能源汽车的应用中具有极大优势。据悉，SiC材料具有耐高压、耐高温、高效率、高频率、抗辐射等优异的物理和化学特性，能够极大地提升现有能源的转换效率。新能源汽车系统架构中涉及到功率半导体应用的组件包括三大部分：电机驱动器、车载充电器（OBC）/非车载充电桩和电源转换系统（车载DC/DC），SiC功率器件凭借其独有的优势在其中发挥着重要的作用。