智能功率模块（简称IPM）作为现代功率电子技术的重要组成部分，融合了功率半导体器件与智能控制电路，广泛应用于电机驱动、电源管理和自动化控制等领域。那么，智能功率模块的作用是什么？一、智能功率模块的定义与结构智能功率模块是一种集成了功率开关器

锂电设备企业跨界AI服务器供应链，PCB设备率先兑现AI算力爆发正将一批锂电设备企业带向电池产线之外。它们不生产芯片，也不制造服务器，却开始出现在AIPCB、液冷板检测、光模块封装、玻璃基板TGV、功率半导体和服务器电源设备的供应链中。在英

特罗半导体作为一家半导体制造企业，致力于提供高性能和创新型的半导体产品，广泛服务于通信、消费电子、汽车电子及工业控制等领域。功率半导体器件‍功率半导体是特罗半导体的重要产品之一，主要包括功率MOSFET、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和功率

2026年3月，全球功率半导体产业迎来历史性转折点。以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，在8英寸量产、大尺寸衬底技术及垂直应用领域实现全面突破，正在重塑从新能源汽车、光伏储能到AI算力的全产业格局。据行业预测，全球

功率半导体器件在现代电子设备和工业控制中扮演着至关重要的角色。由于这些器件在工作时会产生大量的热量，散热设计成为保障其稳定性和寿命的关键环节。而散热基板作为功率半导体模块中的核心组成部分，其性能直接影响着整个模块的热管理效果。那么，功率半导

手机芯片卡顿顶多重启，汽车芯片罢工可能危及生命！车规级功率半导体和普通功率半导体，虽然都是“电力转换小能手”，但前者专为汽车“极限环境”而生，后者更像“温室里的花朵”。它们到底差在哪？看完这篇你就懂了！1、生存环境车规级：温度：-40℃（漠

碳化硅（SiC）MOSFET是一种基于碳化硅材料的功率半导体器件，它结合了MOSFET的优点和SiC材料的特性，提供了比传统硅基MOSFET更优越的性能。以下是对其基本结构的分析：一、主要结构部分1. 碳化硅衬底SiC MOSFET的衬底是

栅极驱动器芯片是一种专为驱动功率半导体器件（如MOSFET和IGBT）设计的集成电路。这些芯片在各种应用中都有重要作用，尤其是在电力电子、电机驱动和开关电源等领域。栅极驱动器的基本功能栅极驱动器的主要功能是控制功率半导体器件的开关状态。功率

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种具有高输入阻抗和高开关速度的功率半导体器件，广泛应用于电力电子领域，如变频器、逆变器和电动机驱动等。IGBT的驱动方式对其开关特性、效率及可靠性等有着直接影响。本文将介绍IGBT的四种主要驱动方式。1. 电

随着科技的飞速发展，开关电源作为电子设备的心脏，如何提升其性能及效率是不少工程师关注的焦点，除此之外还有其他核心要素也值得关注。1、功率半导体器件性能新型材料应用：关注碳化硅（SiC）等新型功率半导体材料的应用，以提高耐高温、高频大功率器件

在电子电力系统中，Cool-MOS是一种高性能的功率半导体器件，广泛应用，但在实际应用中可能遇到不少问题，影响到系统的稳定性和可靠性，所以盘点下Cool-MOS会遇到哪些问题？1、电磁干扰超标Cool-MOS在高频率开关过程中，可能会产生强

之前讲了电源的一次侧变压器的选型、磁芯选择及绕线方法，今天来说一下二次侧的设计。 首先选择好变压器后，我们就要选择功率半导体器件了，因为Vdss>Vin>382V，所以我们一般取常用的500V耐压，Id>Iin>2.75A，我们就取大于4A的器件，我个人采用的是IRF730器件。

HL型栅极驱动器（High Level Gate Driver）是一种用于驱动功率半导体器件（如MOSFET和IGBT）的电路。它的主要功能是在输入信号的高低电平之间提供适当的电压和电流，以控制功率半导体器件的导通和截止。HL型栅极驱动器通

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种常见的功率半导体器件，具有高电压、高电流和高速开关等特点。在现代电力电子应用中，IGBT单管和IGBT模块是两种常见的形式。虽然它们都具有类似的结构和工作原

昨天我们开篇了功率模块，从功率模块的基本分层结构了解了除了半导体芯片之外的几大配置，今天我们来聊聊其中的绝缘衬底，一般会被叫作陶瓷基板，因为这种材料使用的最多，当然还有其他一些适合作为绝缘衬底的材料......绝缘衬底主要是作为半导体芯片的底座，同时会在绝缘衬底上沉积导电材料、绝缘材料和阻性材料，还