场效应晶体管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子电路中。与传统的三极管不同，场效应晶体管主要依靠电场来控制电子通道的导通与关闭。FET的基本结构通常包含三个端口：源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。通过在栅极施加电

双向可控硅（也称为双向晶闸管）是一种能够在两个方向上导通的半导体器件，广泛应用于电力控制和转换电路中。为了确保其正常工作和性能，使用万用表进行测量是必要的步骤。本文将详细介绍如何使用万用表来测量双向可控电极。1、确定T2极使用万用表R×1档

可控硅（Thyristor）是一种半导体器件，具有能够在其内部形成可控导通状态的特性。它是由四层半导体材料（P-N-P-N结构）组成的，通常用于控制大功率电流和电压的开关电路。可控硅的结构和工作原理结构:可控硅有四层半导体材料，依次为P型和

随着电子技术的不断进步，半导体器件在现代电子电路中扮演着至关重要的角色。其中，二极管和晶体管是常见的两种半导体元件，它们在功能和结构上都有显著的差异。一、二极管的工作原理基本结构：二极管是由两个半导体材料（一般是 p 型和 n 型）组成的接

在电子电力系统中，Cool-MOS是一种高性能的功率半导体器件，广泛应用，但在实际应用中可能遇到不少问题，影响到系统的稳定性和可靠性，所以盘点下Cool-MOS会遇到哪些问题？1、电磁干扰超标Cool-MOS在高频率开关过程中，可能会产生强

随着时代发展，现代电子设计逐渐高性能、低损耗，要想实现这两个目标，离不开半导体器件的选择，而Cool-MOS作为一种先进的功率MOSFET，凭借其独特的性能优势，在众多应用中脱颖而出。1、通态阻抗与损耗优势Cool-MOS具有极小的通态阻抗

在电子设计中，晶体管通过特定的电流分配关系，可有效控制集电极电流，是一个非常重要的半导体器件，但很多电子小白不太清楚其实现过程，所以本文将针对这个问题进行详谈，希望对小伙伴们有所帮助。1、电流分配关系晶体管的发射极电流（Ie）等于基极电流（

电子管是一种使用真空或者气体环境中电子输运现象的通用术语。主要分为热电子管、冷阴极管、热阴极管和特种电子管等多种类型。其中，最常见的是真空电子管，如三极管、二极管、真空管等。晶体管是一种半导体器件。它是在1947年由Bardeen、Brat

可控硅是一种具有控制接通和关断功能的半导体器件，也被称为整流火。可控硅通常由四个层状的半导体材料构成，其中包括三个P型层和一个N型层，形成了特殊的结构。可控硅具有正向导通和反向截止的特性，能够在控制信号的作用下，切换到导通状态或关断状态。可

在电子元器件，光明电阻是一种基于光电效应的半导体器件，凭借着其独特的对光强度变化的敏感性，是许多工程师不会陌生的光电器件之一。光敏电阻不仅能感知环境光纤的强弱，也能通过电信号的形式输出，为许多设备提供光检测功能。1、光敏电阻是什么？光敏电阻

之前讲了电源的一次侧变压器的选型、磁芯选择及绕线方法，今天来说一下二次侧的设计。 首先选择好变压器后，我们就要选择功率半导体器件了，因为Vdss>Vin>382V，所以我们一般取常用的500V耐压，Id>Iin>2.75A，我们就取大于4A的器件，我个人采用的是IRF730器件。

雪崩二极管是一种特殊的半导体器件，其独特的雪崩击穿特性在电路设计中有着广泛的应用，特别是在防止过电压方面表现出色，然而伴随这一特性而来的，是雪崩二极管在特定条件下产生的噪声问题，这是如何产生？1、雪崩击穿过程的不连续性雪崩二极管的噪声主要源

MOS管全称为金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），也被称为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect

霍尔测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。然而在使用霍尔测试仪时，可能遇见鼓包现象，如何分析

微波电子管是一种用于产生、放大和调制微波信号的电子器件。它是在微波频段工作的一种放大器，相比于普通的半导体器件，具有更高的功率、更宽的频带和更低的噪声。微波电子管基本结构微波电子管的基本结构包括阴极、阳极、网极、漏极、螺旋线、腔体等部分。阴

电力晶体管（Power Transistor）是一种用于控制大电流和高功率的半导体器件。它是一种晶体管的变种，具有较高的电流和功率处理能力，广泛应用于功率放大、开关控制和电源调节等领域。01电力晶体管基本结构电力晶体管由三个不同掺杂的P型和

高频三极管是一种能够在高频率下工作的半导体器件，它主要用于放大和开关高频信号。高频三极管在无线通信、雷达、电视、无线网络等领域有着广泛的应用。高频三极管组成高频三极管由三个主要部分组成:发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(C