在电子设计中，晶体管通过特定的电流分配关系，可有效控制集电极电流，是一个非常重要的半导体器件，但很多电子小白不太清楚其实现过程，所以本文将针对这个问题进行详谈，希望对小伙伴们有所帮助。1、电流分配关系晶体管的发射极电流（Ie）等于基极电流（

电子管是一种使用真空或者气体环境中电子输运现象的通用术语。主要分为热电子管、冷阴极管、热阴极管和特种电子管等多种类型。其中，最常见的是真空电子管，如三极管、二极管、真空管等。晶体管是一种半导体器件。它是在1947年由Bardeen、Brat

可控硅是一种具有控制接通和关断功能的半导体器件，也被称为整流火。可控硅通常由四个层状的半导体材料构成，其中包括三个P型层和一个N型层，形成了特殊的结构。可控硅具有正向导通和反向截止的特性，能够在控制信号的作用下，切换到导通状态或关断状态。可

在电子元器件，光明电阻是一种基于光电效应的半导体器件，凭借着其独特的对光强度变化的敏感性，是许多工程师不会陌生的光电器件之一。光敏电阻不仅能感知环境光纤的强弱，也能通过电信号的形式输出，为许多设备提供光检测功能。1、光敏电阻是什么？光敏电阻

之前讲了电源的一次侧变压器的选型、磁芯选择及绕线方法，今天来说一下二次侧的设计。 首先选择好变压器后，我们就要选择功率半导体器件了，因为Vdss>Vin>382V，所以我们一般取常用的500V耐压，Id>Iin>2.75A，我们就取大于4A的器件，我个人采用的是IRF730器件。

雪崩二极管是一种特殊的半导体器件，其独特的雪崩击穿特性在电路设计中有着广泛的应用，特别是在防止过电压方面表现出色，然而伴随这一特性而来的，是雪崩二极管在特定条件下产生的噪声问题，这是如何产生？1、雪崩击穿过程的不连续性雪崩二极管的噪声主要源

在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及在设计应用中注意事项。一、半导体器件击穿原理PN结I-V曲线如图[1]所示：PN结正向导通，反向截止；反向电压超过一定限值VBR，器件发生电击穿；正向导通时，电流超

MOS管全称为金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），也被称为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect

霍尔测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。然而在使用霍尔测试仪时，可能遇见鼓包现象，如何分析

微波电子管是一种用于产生、放大和调制微波信号的电子器件。它是在微波频段工作的一种放大器，相比于普通的半导体器件，具有更高的功率、更宽的频带和更低的噪声。微波电子管基本结构微波电子管的基本结构包括阴极、阳极、网极、漏极、螺旋线、腔体等部分。阴

电力晶体管（Power Transistor）是一种用于控制大电流和高功率的半导体器件。它是一种晶体管的变种，具有较高的电流和功率处理能力，广泛应用于功率放大、开关控制和电源调节等领域。01电力晶体管基本结构电力晶体管由三个不同掺杂的P型和

高频三极管是一种能够在高频率下工作的半导体器件，它主要用于放大和开关高频信号。高频三极管在无线通信、雷达、电视、无线网络等领域有着广泛的应用。高频三极管组成高频三极管由三个主要部分组成:发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(C

硅光电二极管（Silicon Photodiode）是一种用于光电转换的半导体器件。它可以将光能转化为电能，具有广泛的应用领域，包括通信、光电测量、光电探测等。01硅光电二极管基本结构硅光电二极管的基本结构包括P型硅区域、N型硅区域和PN结

HL型栅极驱动器（High Level Gate Driver）是一种用于驱动功率半导体器件（如MOSFET和IGBT）的电路。它的主要功能是在输入信号的高低电平之间提供适当的电压和电流，以控制功率半导体器件的导通和截止。HL型栅极驱动器通

随着科技高速发展，半导体器件日益小型化、智能化等，尺寸的减小，必然带来更加严重的功率密度和热量问题，这些问题若是不及时处理，既有可能影响这些器件的性能、可靠性和寿命。因此，如何提高晶体管的散热能力，是很多科学家及机构的研究重点。近日，日本的

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导

MOS管，即金属氧化物半导体场效应管，凭借着输入阻抗高、开关速度快、热稳定性优良等特点，是现代电子电路中常用的半导体器件之一。在MOS管的结构中有三个重要电极，分别是G极、S极、D极，下面聊聊这些电极。一般来说，一个典型的N沟道MOS管由一

肖特基二极管作为一种高效的半导体器件，在电子工程领域广有着广泛的应用，但很多电子小白对肖特基二极管接触不深，更是对它的技术指标感到头痛，所以为了解决这些烦恼，今天凡小亿开课好好谈谈肖特基二极管的技术指标，希望对小伙伴们有所帮助。1、导通压降