我们上次讲了线性电源的工作原理，主要就是让晶体管工作在线性模式下，而PWM开关电源是让功率晶体管工作在导通和关断状态；在导通时，晶体管上的电压低，电流大；关断时，晶体上的电压大，电流小；而电压和电流的乘机就是我们平常说的功率晶体管所产生的损耗。 和线性电源相比较，开关电源

在电子电路中，总有各种各样功能各异的电路，其中之一是开漏电路，它基于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性，通过特定的连接方式实现特定的电路功能。今天开课讲讲开漏电路是什么！1、开漏电路是什么？①定义：开漏电路是指以MOSFET

随着电子技术高速发展，芯片内置的晶体管数量翻倍增长，目前已经达到数百亿级别，但受限于“波尔兹曼暴政”物理定律的限制，性能提升越来越困难，，无法在过低的电压条件下正常工作，因此，晶体管必须需要改变！据媒体报道，美国麻省理工学院团队利用超薄半导

在电子电路中，工程师总会遇见各种各样的电子元件，其中之一是小功率晶体二极管，为了确保电子系统的正常进行，有可能会对该二极管进行检测工作，那么小功率晶体二极管的检测方法有哪些？1、判别正负电极①观察外壳符号：查看二极管外壳上的符号标记，带有三

集成电路是一种将多个电子器件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一块半导体芯片上的电子元件。在一个芯片上通过微影技术将各种元器件联系在一起，形成一个完整的电路功能单元。集成电路的出现使得电子设备得以实现高度集成和小型化，是现代电子技术中最基础和

在电子设计中，晶体管通过特定的电流分配关系，可有效控制集电极电流，是一个非常重要的半导体器件，但很多电子小白不太清楚其实现过程，所以本文将针对这个问题进行详谈，希望对小伙伴们有所帮助。1、电流分配关系晶体管的发射极电流（Ie）等于基极电流（

电子管是一种使用真空或者气体环境中电子输运现象的通用术语。主要分为热电子管、冷阴极管、热阴极管和特种电子管等多种类型。其中，最常见的是真空电子管，如三极管、二极管、真空管等。晶体管是一种半导体器件。它是在1947年由Bardeen、Brat

随着业界对增加晶体管密度、增加带宽和降低功耗的需求越来越迫切，许多 IC 设计和封装团队都在深入研究如何增加垂直堆叠多个芯片裸片（die）和小芯片（chiplet）的方案。这种被称为3D-IC 的技术有望实现许多超越传统单裸片在单平面设计的优势。其架构可以将多个同质和异质的裸片/小芯片 Chiple

在开关变压器中，极限伏秒容量VTmax参数，是确保开关电源稳定运行的关键指标之一，其重要性不亚于晶体管的最大集电极电压BVceo参数。但有很多小白不太清楚这个参数，所以开课讲讲。1、衡量承受能力伏秒容量直接反映了开关变压器在电压幅度与时间长

在电子设计中，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为关键元件，其稳定性直接关系到整个电路的性能和可靠性。但如果遇到MOS管雪崩失效，必须提前做好预防措施，那么如何做？1、如何判断MOS管是否雪崩失效？①观察电压波形在MOS管工作时，使

在电子元件中，MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）因其具备高输入阻抗、低噪声级良好的开关特性备受工程师的青睐，然而在使用MOS管时可能会遇见其失效现象，那么这些失效现象是如何形成的？1、雪崩失效（电压失效）当MOS管的漏源电压（BV

在电子工程中，晶振（晶体振荡器）作为提供稳定、精确频率信号的精密元件，其性能往往受到负载电容的影响。而负载电容是晶振正常振荡所必需的外部电容，工程师必须掌握负载电容的计算方式，确保晶振工作在最佳状态。晶振的负载电容CL通过以下公式计算可得：