2026年3月，全球功率半导体产业迎来历史性转折点。以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，在8英寸量产、大尺寸衬底技术及垂直应用领域实现全面突破，正在重塑从新能源汽车、光伏储能到AI算力的全产业格局。据行业预测，全球

传统硅基器件在高温、高压、高频场景中逐渐力不从心，而碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，正以“宽禁带”特性打破物理极限，成为新能源、5G等领域的核心器件。SiC与GaN是什么？SiC（碳化硅）：由碳和硅组成的化合物，禁带

随着电子技术高速发展，芯片早已成为其中必不可少的核心组件，经过迭代优化，芯片种类繁多，其中之一是两字光源芯片。据媒体报道，来自电子科技大学的周强教授组成的研究团队近期取得重大科研突破，成功研制出全球首个氮化镓量子光源芯片。据周强教授表示，该

氮化镓（GaN）功率器件正逐渐成为LiDAR传感器的核心模块之一，这得益于其具有超快的开关速度和较低的寄生效应。这些特性使得氮化镓功率器件能够在高总线电压和窄脉冲宽度的情况下实现高峰值电流。为了迎接自动驾驶汽车的未来，汽车系统中必须采用更先进的传感器。在用于检测自动驾驶汽车周围物体的众多传感器中，激

第三代半导体材料是指以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的宽禁带半导体材料。具体是指Eg(带隙宽度)≥2.3eV的宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽

随着半导体技术的飞速发展，新型半导体材料不断涌现，其中SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为其中的佼佼者，正逐步改变着我们的技术世界。本文旨在探讨这两种材料的特性以及它们之间的主要区别。1、SiC和GaN是什么？碳化硅（SiC）：碳化硅是一

1、QPF400637GHz至40.5GHz氮化镓前端模块QPF4006是一款面向39GHz相控阵5G基站和终端的多功能氮化镓MMIC前端模块。该器件结合了低噪声高线性度LNA、低插入损耗高隔离度TR开关和高增益高效率多级PA。QPF400

近年来，因为 5G 的应用，大家对射频氮化镓的关注度日益提升。Qorvo 方面也认为，GaN 非常适合提供毫米波领域所需的高频率和宽带宽。它可以满足性能和小尺寸要求，如下图所示。使用毫米波频段的应用需要高度定向的波束形成技术(波束形成将无线

James Bond小说的作者Ian Flemin曾写道，钻石可能是永恒的。但在工程师的角度来看，其或将永远处于实用半导体材料的边缘。尽管这种材料具有优点——比竞争对手的碳化硅和氮化镓（GaN）更宽的带隙，优良的热传导，以及在比硅钻石的缺点

号外、号外、号外， 英飞凌电源与传感系统云端大会 启动啦~ 9月7日-11日， 两岸三地、专家携手， 一场功率 传感的技术盛会正在袭来！ 精彩主题抢先看 01 极致功率，引领广泛应用的能效创新 采用英飞凌功率器件实现高性能开关电源设计 零电压开通高效反激拓扑电源设计与方案介绍 两轮摩托车的电气化变革与创新机会 英飞凌的宽带隙功率解决方案：硅、碳化硅、氮化镓 高效能存储及创新电池第二寿命解决方案 在5G网络中边缘计算的发展 02 广博传感