第三代半导体材料是指以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的宽禁带半导体材料。具体是指Eg(带隙宽度)≥2.3eV的宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽

随着半导体技术的飞速发展，新型半导体材料不断涌现，其中SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为其中的佼佼者，正逐步改变着我们的技术世界。本文旨在探讨这两种材料的特性以及它们之间的主要区别。1、SiC和GaN是什么？碳化硅（SiC）：碳化硅是一

1、QPF400637GHz至40.5GHz氮化镓前端模块QPF4006是一款面向39GHz相控阵5G基站和终端的多功能氮化镓MMIC前端模块。该器件结合了低噪声高线性度LNA、低插入损耗高隔离度TR开关和高增益高效率多级PA。QPF400

近年来，因为 5G 的应用，大家对射频氮化镓的关注度日益提升。Qorvo 方面也认为，GaN 非常适合提供毫米波领域所需的高频率和宽带宽。它可以满足性能和小尺寸要求，如下图所示。使用毫米波频段的应用需要高度定向的波束形成技术(波束形成将无线

James Bond小说的作者Ian Flemin曾写道，钻石可能是永恒的。但在工程师的角度来看，其或将永远处于实用半导体材料的边缘。尽管这种材料具有优点——比竞争对手的碳化硅和氮化镓（GaN）更宽的带隙，优良的热传导，以及在比硅钻石的缺点

号外、号外、号外， 英飞凌电源与传感系统云端大会 启动啦~ 9月7日-11日， 两岸三地、专家携手， 一场功率 传感的技术盛会正在袭来！ 精彩主题抢先看 01 极致功率，引领广泛应用的能效创新 采用英飞凌功率器件实现高性能开关电源设计 零电压开通高效反激拓扑电源设计与方案介绍 两轮摩托车的电气化变革与创新机会 英飞凌的宽带隙功率解决方案：硅、碳化硅、氮化镓 高效能存储及创新电池第二寿命解决方案 在5G网络中边缘计算的发展 02 广博传感