Cool-MOS（超级结MOSFET）在高频开关电源等领域展现出其独特的优势，但其抗浪涌及耐压能力较差的问题也不容忽视。下面分析为什么CMOS系统的抗浪涌及耐压能力差的原因。1、SJ-MOS结构特性内部结构设计：SJ-MOS（超级结MOSF

浪涌是指电力系统中出现的瞬时过电压现象，一般会对电子设备造成损害，为有效应对浪涌威胁，浪涌防护方法问世，不过该方法很多，如何选？1、并联型电涌保护器方法：并联于供电线路上，利用压敏电阻在过电压时呈低阻状态，限制过电压幅值。适用场景：适用于照

在电子设备设计与制造过程中，电磁兼容性（EMC）问题往往令人头痛，必须要尽快解决，以此降低损失。本文将针对五个常见的EMC问题，提供一些实用的方案。1、辐射发射超标解决方案检查设备外壳屏蔽性能，必要时加强屏蔽。拔掉不必要的电线和电源插头，判

浪涌保护器（Surge Protective Device，简称SPD），作为电子设备雷电防护中的重要装置，其主要功能是通过抑制电压超过设定阈值的瞬态电压，将这部分能量引导到地线或大地中，以保护电子设备免受损害。但在使用过程中可能会突发爆炸

浪涌抑制器是一种用于保护电子设备免受电力系统中突发电压浪涌的损害的装置。其工作原理是在电路中引入浪涌抑制器，当电压过高时，浪涌抑制器会瞬间导通，将过电压瞬间放大地吸收或分流，避免过电压对设备造成损坏。浪涌抑制器的使用方法如下：选择适当的浪涌

雷击浪涌抗扰度实验旨在通过模拟电力系统开关瞬态和雷电瞬态产生的浪涌冲击，评估电气和电子设备在遭受此类冲击时的性能，确保设备在实际运行中的可靠性和稳定性。1、雷击浪涌抗扰度实验目的是什么？建立共同基准：为电气和电子设备提供一个统一的测试标准，

热敏电阻稳态电流浪涌保险丝最大工作电压最大工作电流响应时间浪涌，过流磁珠是常用的抗EMI器件阻抗：磁珠阻抗是在100MHz时测得的阻抗所确定的磁珠阻抗是在100MHz时测得的阻抗所确定的，交流阻抗范围一般在几欧姆到几千欧姆之间DCR(直流电阻)注意后级电路对于输入电源的要求，直流电阻一般不超过1Ω，

前一段时间我研究了下开关电源，当时有两个问题也是没搞明白。问题是关于NTC热敏电阻与浪涌电流的。 1、为啥小功率电源的NTC不用加继电器，而大功率要加继电器？仅仅是因为降低功耗提高效率吗？2、小功率电源NTC不用考虑热启动吗？ 下面给大家说一下我是如何找答案的。 问题背景为了照顾下不是做电源的同学，

随着现代电子设备的不断发展，电源模块的可靠性是很多工程师的电子设计需考虑的问题，特别是在一些对电源稳定性要求极高的应用场景中，如通信基站、数据中心等，那么如何做出优秀且高可靠性的电源模块？下面一起来看看吧！1、防浪涌保护电路设计防浪涌保护电

在电源模块设计领域中，很多客户要求产品必须高可靠，为了确保电源模块在各种复杂环境和应用条件下都能稳定运行，那么如何做？今天本文将讲讲如何从多个维度来考虑和优化，希望对小伙伴们有所帮助。1、防浪涌保护电路设计浪涌电流可能会对电路中的元器件造成