传统硅基器件在高温、高压、高频场景中逐渐力不从心，而碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，正以“宽禁带”特性打破物理极限，成为新能源、5G等领域的核心器件。SiC与GaN是什么？SiC（碳化硅）：由碳和硅组成的化合物，禁带

随着微电子高速发展，我国虽然在半导体芯片领域上起步较晚，甚至部分核心技术仍被海外垄断，但在政府扶持及企业重视，我国在硅基芯片上取得初步效果，但我们也不能忽视光子芯片。和常见的硅基芯片不同，光子芯片的工作原理跟硅基芯片不同，运算速度可提升10