在电力电子器件中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）凭借其独特结构，同时实现了高耐压与栅极可控性，成为高压大功率应用的“心脏”。1、四层半导体结构：n-p-n-p的精密堆叠①结构组成p+集电区：高掺杂浓度的p型半导体，作为电流注入端。n-漂移区

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种具有高输入阻抗和高开关速度的功率半导体器件，广泛应用于电力电子领域，如变频器、逆变器和电动机驱动等。IGBT的驱动方式对其开关特性、效率及可靠性等有着直接影响。本文将介绍IGBT的四种主要驱动方式。1. 电

开关管作为开关电源的核心器件，我们常常将其比喻成我们的心脏，其工作状态直接决定电源的效率、可靠性与稳定性。我们目前常见的开关管有半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT），MOS管比较常用于低 - 中功率场景，IGBT则多比较常用于高电压、大功率的工业领域。 开关

绝缘材料，又称电介质，是一种能够阻止电流通过的材料，其电阻率极高。它们在电场作用下能发生极化、储能、介质损耗和击穿等现象，但本身并不导电。绝缘材料广泛应用于电气设备中，用于隔离带电部件，防止电流泄漏，确保设备的安全运行。常见的绝缘材料类型有

在电子设备的设计与制造过程中，如果遇到电路板的地与外壳地相连类似的设计，这种设计是否会出现问题？下面将探讨这个问题，希望对小伙伴们有所帮助。1、电气安全问题直接连接可能导致短路风险，特别是在潮湿或灰尘较多的环境中。若外壳未做绝缘处理，用户接

绝缘栅型场效应管（MOS管）是许多工程师不会陌生的关键元件之一，该元件因高输入阻抗特点被广泛应用，但这也让MOS管栅极极易击穿，所以有没有关键措施可防止其击穿？！1、保持栅源直流通路栅源间接电阻：在栅源两极之间接一个100KΩ以内的电阻，确

电缆组件的耐压测试是确保电缆及其连接组件在高电压运行时能够安全、稳定工作的关键步骤。耐压测试旨在检验绝缘材料是否足够坚固，以防止电气设备短路、漏电或其他故障。以下是一些常见的电缆组件耐压测试方法：1. 直流耐压测试（DC耐压测试）方法：应用

在电子系统设计与集成中，电连接器是工程师经常接触的元件之一，良好的电连接器，可提高系统的稳定性及可靠性，所以如何正确选择电连接器？1、电气参数核心考量额定电压：根据绝缘材料与接触对间距确定，确保在推荐电压范围内工作。额定电流：考虑接触电阻与

超级电容器和普通电容器在结构、功能和应用等方面存在显著差异。以下是它们之间的主要区别：1.能量存储原理普通电容器：使用电场存储电能，主要由两个导体板和一个绝缘体（电介质）组成。普通电容器的能量存储能力有限，适合短时间能量存储和快速充放电应用

半导体材料在现代电子技术中起着关键作用，广泛应用于各种电子设备和电路中。了解半导体元器件的种类及其功能，对于理解现代电子产品的设计和应用至关重要。一、什么是半导体？半导体是一类电导率介于导体和绝缘体之间的材料，常见的半导体材料包括硅（Si）

上篇我们聊了关于功率模块绝缘衬底的几款主流材料，其中提到了在绝缘衬底上进行金属化的技术。今天我们就来聊聊绝缘衬底金属化技术......几种常用的金属化技术：❖薄膜❖厚膜❖电镀铜❖直接敷铜❖活化钎焊覆铜❖硬钎焊敷铜绝缘衬底表面金属化要求：热特性：高热导率（＞200W/K·m）与绝缘衬底的热膨胀系数相匹

昨天我们开篇了功率模块，从功率模块的基本分层结构了解了除了半导体芯片之外的几大配置，今天我们来聊聊其中的绝缘衬底，一般会被叫作陶瓷基板，因为这种材料使用的最多，当然还有其他一些适合作为绝缘衬底的材料......绝缘衬底主要是作为半导体芯片的底座，同时会在绝缘衬底上沉积导电材料、绝缘材料和阻性材料，还

IGBT关断过程的分析上一篇，我们写了基于感性负载下，IGBT的开通过程，今天，我们就IGBT的关断过程进行一个叙述。对于IGBT关断的可以基于很对方面进行分析，而今天我们从电压电流对IGBT的关断过程进行分析。01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOS

许多电子新人可能会接到射频电路的高速PCB设计项目，细节决定成败，为了确保信号的完整性、降低回损并优化性能，本文将分享一些具体且实用性高的高速PCB设计技巧。1、45°角传输线拐角传输线拐角采用45°角，以减少信号反射和回损。2、高性能绝缘

电子元器件外面添加封装的原因和作用主要包括以下几点：保护功能：封装可以保护内部元器件免受物理损伤、湿气、灰尘和化学腐蚀等外部环境的影响，从而延长元器件的使用寿命。电气绝缘：封装材料通常具有良好的绝缘性能，可以防止元器件之间的短路和漏电，确保