引言半导体行业通过创新集成技术持续发展，特别是在三维集成电路（3DIC）领域。本文介绍基于SOI临时键合技术的突破性方法，该方法实现了亚微米级别的层间厚度和精确对准[1]。1三维集成技术的发展三维集成在半导体制造领域代表着重要的技术进步，为克服传统工艺缩放限制提供了解决方案。目前存在单片三维集成和晶

采用Chiplet的设计方式已是大势所趋，但究竟何时会开始大规模转向这种设计方法，目前仍有待确定。尽管如此，一些与技术和商业相关的最大障碍正在得到解决。虽然基于Chiplet的设计目前对于许多公司来说在经济上仍难以企及，但这种情况已开始发生变化。一个新兴生态系统的初步迹象已经显现。不久前，芯片行业还

随着业界对增加晶体管密度、增加带宽和降低功耗的需求越来越迫切，许多 IC 设计和封装团队都在深入研究如何增加垂直堆叠多个芯片裸片（die）和小芯片（chiplet）的方案。这种被称为3D-IC 的技术有望实现许多超越传统单裸片在单平面设计的优势。其架构可以将多个同质和异质的裸片/小芯片 Chiple