IGBT关断过程的分析上一篇，我们写了基于感性负载下，IGBT的开通过程，今天，我们就IGBT的关断过程进行一个叙述。对于IGBT关断的可以基于很对方面进行分析，而今天我们从电压电流对IGBT的关断过程进行分析。01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOS

全控型器件——电力晶体管电力晶体管（Giant Transistor——GTR）按英文直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar JunctionTransistor——BJT）1、结构和工作原理GTR与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的，最主要的特性是耐压高、电流大

电子电路中，有源元件（主动元件）主要包括以下几种类型：三极管：BJT（三极管）：双极性晶体管，广泛用于信号放大和开关。FET（场效应管）：如 MOSFET 和 JFET，主要应用于高频放大和开关电路。集成电路（IC）：包含多个电路功能的元件

场效应管（简称FET）和三极管（简称BJT）是两种常见的半导体器件，它们具有不同的结构、工作原理和应用。以下是场效应管和三极管的主要区别：1. 结构场效应管（FET）：场效应管有一个电场控制的通道，通常是N型或P型半导体材料。主要包括源极、

晶体管和三极管之间有着密切的联系，但它们并不是完全相同的概念。定义：晶体管是一个广泛的术语，指的是以半导体材料为基础的电子器件，具有放大和开关功能。晶体管可以分为多种类型，包括双极晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）等。三极管是一种特定

宽带放大电路用于放大信号的频率范围较宽的信号。典型的宽带放大电路主要包括以下几种类型：共射放大电路（BJT/共射放大器）：使用双极性晶体管（BJT）进行放大，具有较高增益和宽带特性。常用于音频和射频频率。共源放大电路（MOSFET/共源放大

芯片（集成电路, IC）内部通常包含多种电子元件，这些元件共同协作以实现特定的功能。以下是芯片内部常见的一些电子元件：晶体管类型: 主要是MOSFET（场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）。功能: 用于放大信号和逻辑运算，形成基本的开关和

对工程师来说，模拟电路就像攀登高峰一样，从初探其门到精通奥秘，需要经历几个阶段，我认为从新手到大佬需要经历九大阶段，每一级都标志着学习的进度，那么是哪个阶段？1、入门阶段初识PMOS、NMOS、BJT等器件，对电路设计有大致概念，主要依赖教

推挽电路实际上就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路。推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于电路中，每个管子负责各自正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高。推挽式电源由于结构简单，变压器磁芯利用率高，电路工作时

带阻三极管（Darlington Transistor）是一种特殊的双极型（BJT）晶体管，由两个晶体管级联而成。它具有高电流放大倍数和低输入电流的特点，常用于需要高电流放大的应用电路中。带阻三极管基本结构带阻三极管由两个晶体管级联而成,其

IGBT，全称为绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。它具有强电流、高压应用和快速终端设备

在电子电路中，NPN和PNP晶体管是两种常见的双极型（BJT）晶体管，虽然名字过于类似，但在电路中的使用和特性有很大的不同，下面我们来看看如何区分NPN和PNP晶体管，希望对小伙伴们有所帮助。1、构造与极性NPN晶体管： NPN晶体管有三个

双极型晶体管 (BJT) 是一种半导体器件，它由三个区域组成:n 型区 (发射极)、p 型区 (基极) 和 n 型区 (集电极)。这种晶体管是 bjt(双极型晶体管) 系列中最常用的一种，它被广泛应用于各种电子设备和电路中。本文汇总了一些资

MOS管和双极型晶体管（BJT）是常见的两种晶体管器件，它们在工作原理、结构以及性能上存在明显差异，本文将对其进行比较分析。如果您对即将涉及的内容感兴趣，那么请继续阅读下文吧，希望能对您有所帮助。结构BJT有三个区域：发射区（Emitter