随着科技的飞速发展，开关电源作为电子设备的心脏，如何提升其性能及效率是不少工程师关注的焦点，除此之外还有其他核心要素也值得关注。1、功率半导体器件性能新型材料应用：关注碳化硅（SiC）等新型功率半导体材料的应用，以提高耐高温、高频大功率器件

半导体国产化的进程想必今年会有很大的进展，越来越多的应用也会更多地倾向于国产化。接下来的一段时间，我们来聊聊半导体功率模块那些事儿，一个不管何种半导体材料(传统Si，新兴SiC等第三代)都需要考虑的那些事儿。今天我们先来从传统的功率模块基本结构分层图来说说其构成：可见，我们前面聊的很多的半导体芯片，

在Verilog代码编写过程中，准确区分可综合与仿真语句是至关重要的。这不仅能够确保代码在硬件实现中的正确性和效率，还能在仿真阶段有效地验证设计功能。1、理解可综合语句可综合语句是指那些能够被综合工具（如FPGA综合器或ASIC综合器）转化

数字电源系统管理是指通过数字技术和智能控制手段对电源系统进行监测、控制和优化的过程。它通常涉及使用数字信号处理器（DSP）、微控制器（MCU）或专用集成电路（ASIC）来实现对电源的实时管理和调节。数字电源系统管理的优势：精确控制：数字电源

在光纤通信领域，UPC（UltraPhysicalContact，超物理接触）和APC（AngledPhysicalContact，角度物理接触）连接器因其不同的抛光技术和性能特点而被广泛应用。正确识别这两种连接器对于确保光纤网络的稳定性和

元器件的DPA（Destructive Physical Analysis，破坏性物理分析）检测是一种深入分析和评估电子元器件性能、可靠性和失效原因的方法。以下是一些需要进行DPA检测的情况：1. 失效分析· 当电子元器件在正常工作条件下发

在电子设计领域中，ASIC、FPGA、DSP和MCU是应用最广的常用控制器，它们各具特色，适用于不同场景，扮演着重要角色。本文将简要介绍这四种控制器，希望对小伙伴们有所帮助。1、ASIC（专用集成电路）特点：为特定功能定制，集成度高，成本低

自从人工智能（AI）大模型的横空出世，人们开始意识到算力的重要性，算力是计算能力的简称，算力实现的核心是CPU、GPU、FPGA、ASIC等各类计算芯片，并由计算机、服务器、高性能计算集群和各类智能终端等承载。可以说，谁的算力最多最强，就意

说明UnitedSiC UF3C高性能SiC FET是共源共栅碳化硅(SiC)产品，将高性能G3 SiC JFET与共源共栅优化Si MOSFET共同封装，以生产标准栅极驱动SiC器件。该系列具有超低栅极电荷，非常适合开关感性负载和需要标准

随着时代发展，目前已经发展之第三代半导体材料，第一代至第三代类型如下：第一代半导体材料以传统的硅（Si）和锗（Ge）为代表，是集成电路制造的基础，广泛应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中，90%以上的半导体产品 是用硅基材料制作的；第

这些1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列针对高功率应用进行了优化，如UPS、电机控制和驱动、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压DC/DC转换器等。该系列基于第三代技术，多种多样的导通电阻和封装选项使设计人员能够根据应

1、碳化硅（SiC）模块 – EliteSiC主驱逆变器功率模块900V，单侧直接散热1.7mOhm，900V，6-PackNVXR17S90M2SPB是一款单侧直接散热1.7mOhm，900V，6-Pack EliteSiC功率模块，适用

提起芯片原材料，很多人第一想到的是硅（Si），但随着时代发展，电子技术迭代更新，芯片种类开始增多，原材料自然也五花八门，其中较为常见的是碳化硅。据外媒报道，意法半导体近期宣布，计划在意大利卡塔尼亚建立全球首个专注于200mm集成碳化硅（Si

第三代半导体材料是指以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的宽禁带半导体材料。具体是指Eg(带隙宽度)≥2.3eV的宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽

随着半导体技术的飞速发展，新型半导体材料不断涌现，其中SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为其中的佼佼者，正逐步改变着我们的技术世界。本文旨在探讨这两种材料的特性以及它们之间的主要区别。1、SiC和GaN是什么？碳化硅（SiC）：碳化硅是一