1、SPH0644LM4H-1 多模数字底端口SiSonic麦克风SPH0644LM4H-1是一种微型、高性能、低功耗、底部端口硅数字麦克风，具有单位PDM输出。SPH0644LM4H-1由一个声学传感器、一个低噪声输入缓冲器和一个sigm

QCC3084 / QCC-3084-0-CSP134A-TR-05-0——专为蓝牙立体声耳机设计的下一代入门级flash可编程蓝牙音频SoCQCC-3084-0-CSP134A-TR-05-0 是下一代入门级flash可编程蓝牙音频SoC

1、MPC22161-120——120A、双相非隔离式高效率降压电源模块MPC22161-120 是一款双相非隔离式高效率降压电源模块。集成驱动 MOSFET 和电感提供高效率和小尺寸，使得该模块非常适合服务器应用。MPC22161-120

STM32U0超低功耗MCU基于Arm® Cortex®-M0+内核，设计环保，拥有可持续技术标识。通过降低终端设备的功耗，此系列微控制器有助于减少碳足迹。与前几代产品相比，STM32U0 MCU所需的能耗更少。该MCU具有简单架构和高性能

i.MX 8X系列扩展了i.MX 8系列，它与高端i.MX 8系列采用相同的子系统和架构，但通过引脚兼容选项和软件的高度复用为用户提供了一系列高性价比选择。i.MX 8X系列处理器基于高度集成，可支持图形、视频、图像处理和语音功能，能够满足

摘要这些分立式GaAs pHEMT采用经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺设计。该工艺在高漏极偏置工作条件下通过先进的技术优化微波功率和效率。这些器件的工作频率范围为直流至20GHz。凭借这种性能水平，这些器件非常适合用于高效率

说明UnitedSiC UF3C高性能SiC FET是共源共栅碳化硅(SiC)产品，将高性能G3 SiC JFET与共源共栅优化Si MOSFET共同封装，以生产标准栅极驱动SiC器件。该系列具有超低栅极电荷，非常适合开关感性负载和需要标准

这些1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列针对高功率应用进行了优化，如UPS、电机控制和驱动、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压DC/DC转换器等。该系列基于第三代技术，多种多样的导通电阻和封装选项使设计人员能够根据应

1、碳化硅（SiC）模块 – EliteSiC主驱逆变器功率模块900V，单侧直接散热1.7mOhm，900V，6-PackNVXR17S90M2SPB是一款单侧直接散热1.7mOhm，900V，6-Pack EliteSiC功率模块，适用

MSPM0G3106SRHBR —— 具有 64KB 闪存、32KB SRAM、2 个 12 位 4Msps ADC、运算放大器、CAN-FD 的 80MHz Arm®M0+ MCUMSPM0G310x 微控制器 (MCU) 属于 MSP