上篇我们聊了关于功率模块绝缘衬底的几款主流材料，其中提到了在绝缘衬底上进行金属化的技术。今天我们就来聊聊绝缘衬底金属化技术......几种常用的金属化技术：❖薄膜❖厚膜❖电镀铜❖直接敷铜❖活化钎焊覆铜❖硬钎焊敷铜绝缘衬底表面金属化要求：热特性：高热导率（＞200W/K·m）与绝缘衬底的热膨胀系数相匹

昨天我们开篇了功率模块，从功率模块的基本分层结构了解了除了半导体芯片之外的几大配置，今天我们来聊聊其中的绝缘衬底，一般会被叫作陶瓷基板，因为这种材料使用的最多，当然还有其他一些适合作为绝缘衬底的材料......绝缘衬底主要是作为半导体芯片的底座，同时会在绝缘衬底上沉积导电材料、绝缘材料和阻性材料，还

半导体国产化的进程想必今年会有很大的进展，越来越多的应用也会更多地倾向于国产化。接下来的一段时间，我们来聊聊半导体功率模块那些事儿，一个不管何种半导体材料(传统Si，新兴SiC等第三代)都需要考虑的那些事儿。今天我们先来从传统的功率模块基本结构分层图来说说其构成：可见，我们前面聊的很多的半导体芯片，

IGBT关断过程的分析上一篇，我们写了基于感性负载下，IGBT的开通过程，今天，我们就IGBT的关断过程进行一个叙述。对于IGBT关断的可以基于很对方面进行分析，而今天我们从电压电流对IGBT的关断过程进行分析。01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOS