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半导体开关
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做开关电源开发是时候该储备一波氮化镓(GaN)功率器件设计知识了
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2024-07-28 19:29:01
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半导体器件击穿机理分析及设计注意事项
在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及在设计应用中注意事项。一、半导体器件击穿原理PN结I-V曲线如图[1]所示：PN结正向导通，反向截止；反向电压超过一定限值VBR，器件发生电击穿；正向导通时，电流超
2024-07-15 14:57:44
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变压器在电源技术中的作用
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2020-08-11 12:08:55
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2024-07-15 14:57:44
