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摘要这些分立式GaAs pHEMT采用经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺设计。该工艺在高漏极偏置工作条件下通过先进的技术优化微波功率和效率。这些器件的工作频率范围为直流至20GHz。凭借这种性能水平，这些器件非常适合用于高效率

1、GaAs MMIC电压可变衰减器，DC - 18 GHzHMC346ALC3B是一款吸收式电压可变衰减器(VVA)，采用符合RoHS标准的无引脚“无铅”SMT表贴陶瓷封装，工作频率范围为DC - 18 GHz。器件：HMC346ALC3

随着DSP工作频率的不断提高，电源与地设计在高速DSP系统中变得愈发重要，这也对电子工程师提出了更高的要求，合理的电源与地设计不仅关乎系统性能，更直接影响系统的稳定性与可靠性，因此本文将探讨这些如何设计。1、电源与地去耦设计①多层板应用随着

1、MMA040PP5低噪声放大器 IC RF AMP GPS 0HZ至27GHZ 32QFN说明：MMA040PP5是一款（GaAs）低噪声分布式放大器，采用无引线5 mm×5 mm SMT封装，工作频率范围为DC至27 GHz。该放大器

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STM32F7 32 位 MCU+FPU 基于高性能的 ARM®Cortex-M7 32位RISC内核，工作频率高达 216MHz。Cortex®-M7 内核具有单浮点单元(SFPU)精度，支持所有 ARM® 单精度数据处理指令与数据类型。

1、概述STM32L4 32位 MCU+FPU 是超低功耗微控制器，基于高性能的 ARM®Cortex®-M4 32 位 RISC 内核，工作频率高达 80MHz。Cortex-M4 内核具有单浮点单元（SFPU）精度，支持所有 ARM 单

一、简介RX66N微控制器 (MCU) 是性能稳定的单芯片MCU解决方案，具有大内存容量，适合用于工业设备。这些MCU具有32位RXv3 CPU内核、1MB SRAM、高达4MB闪存， 在120MHz工作频率范围内具有698 CoreMar

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STM32G0 32位微控制器 (MCU) 适合用于消费、工业和家电领域的应用，并可随时用于物联网 (IoT) 解决方案。这些微控制器具有很高的集成度，基于高性能ARM® Cortex®-M0+ 32位RISC内核，工作频率高达64MHz。