在电子设备的复杂世界中，电路保护是确保设备稳定运行、防止意外损坏的关键防线。在众多保护器件中，GDT（气体放电管）、MOV（金属氧化物变阻器）和TVS（瞬变电压抑制器）是电路保护中不可或缺的三大电子元器件。1、GDT（气体放电管）GDT以其

芯片中的氧化现象主要是指在制造和使用过程中，材料（特别是半导体材料和金属材料）与环境中的氧气发生反应，形成氧化物。这一现象在芯片的性能、可靠性和寿命方面具有重要影响。以下是芯片氧化现象产生的原因及其影响：一、造成氧化的原因高温焊接和制程：在

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）作为电子设备中不可或缺的电子元器件，电子工程师需要判断其方向，保证后续的电路设计及维修，下面将谈谈如何判断，以此提供实用的技术指导。1、MOS管方向的基本判断规则寄生二极管方向判断：对于N沟道MOS管

在电子电路中，NMOS（N型金属氧化物半导体）晶体管极为常见，尤其是在逻辑芯片、处理器和数字存储器中应用广泛。然而使用过程中，总会发现理想中的NMOS与实际使用的NMOS之间存在着显著的差异，这是为什么？1、理想NMOS的特点导通电阻：理想

在半导体技术日新月异的今天，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为集成电路中的核心组件，其性能优劣将影响着整个系统的效能。而在MOSFET参数中，我们总会听说闸极长度是半导体制程进步的关键，这是为什么？1、闸极长度与MOSFET尺

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）是现代电子电路中常见的电子元件，其源极（S）和漏极（D）的连接方式对电路的功能和性能有重要影响，但有时候可能会遇见S和D接在一起的情况，这是为什么？1、S和D为什么会连接在一起？①电路设计错误在电路设

在电子电路中，总有各种各样功能各异的电路，其中之一是开漏电路，它基于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性，通过特定的连接方式实现特定的电路功能。今天开课讲讲开漏电路是什么！1、开漏电路是什么？①定义：开漏电路是指以MOSFET

在电子设计中，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为关键元件，其稳定性直接关系到整个电路的性能和可靠性。但如果遇到MOS管雪崩失效，必须提前做好预防措施，那么如何做？1、如何判断MOS管是否雪崩失效？①观察电压波形在MOS管工作时，使

在电子元件中，MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）因其具备高输入阻抗、低噪声级良好的开关特性备受工程师的青睐，然而在使用MOS管时可能会遇见其失效现象，那么这些失效现象是如何形成的？1、雪崩失效（电压失效）当MOS管的漏源电压（BV

高性能超导导线是一种基于特定材料（如稀土钡铜氧化物）制成的导线，其主要特点是能在高于传统超导体所需温度下无阻力地传输电力。这种导线利用了超导材料的独特性质，即在一定条件下电阻为零，从而实现了电力的高效传输。近期，美国布法罗大学的研究团队，成

在电子电路设计中，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）基本上是串联状态，但有时候可能会并联，这是为了提高电路的电流承载能力或增加功率输出，但也带来许多问题，其中之一是是否需要对称？首先针对这个问题，答案是“是的”！MOS管并联时，其走线

在电子系统设计中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的选型很重要，将直接影响系统的性能、效率和可靠性，本文将简洁介绍MOSFET器件选型的三大方法，希望对小伙伴们有所帮助。1、选择P沟道还是N沟道N沟道MOSFET：适用于低压侧开

超导体是指在特定转变温度之下电阻为零且呈现完全抗磁性的材料，可广泛应用在电力传输、储能、医学成像、磁悬浮列车和量子计算等，具有极高的科学研究和技术应用价值。超导体的研发难度很高，研发价值极高，迄今为止，仅有10位科学家因为超导体研究，获得了

MOS管全称为金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），也被称为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect

在电子设计中，输出模式的选择对电子系统的整体性能有重要影响，而开漏输出作为其中一种常见的输出模式，在多种场景中发挥重要作用。本文将介绍开漏输出，希望对小伙伴们有所帮助。1、开漏输出是什么？开漏输出是一种基于MOSFET（金属氧化物半导体场效

MOS管（金属-氧化物半导体场效应晶体管）的封装方式多种多样，这些封装方式不仅影响着MOS管的物理尺寸、散热性能，也决定了其适用范围和可靠性，所以如何根据项目需求，合理选择MOS管的封装方式？1、TO-247封装TO-247主要用于大功率场

在电子元件中，金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）是独特且重要，然而相比其他元件，MOS管很容易失效，导致电路无法正常运行，因此工程师必须查找原因并解决问题。1、MOS管为什么很容易失效？①静电放电（ESD）MOS管的输入阻抗极高，使

1、ADUM220N0BRWZ 可靠的 5.0 kV rms 双通道数字隔离器、0 个反向通道和 7.8mm 爬电距离ADuM220N 是一款采用iCoupler®技术的双通道数字隔离器。该隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与