过压保护、防反接、缓启动电源保护电路原理说明：1、过压保护正常输入无过压：稳压二极管D3截止，使得VCC_BAT通过R4/R6到达Q2PNP管的基极，而Q2的射极也是VCC_BAT，因此Q2的Vbe=0,Q2截止。因此Q1PMOS的栅极通过R7/R8接地，源极为VCC_BAT，故Q1的Vgs<0，q

场效应晶体管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子电路中。与传统的三极管不同，场效应晶体管主要依靠电场来控制电子通道的导通与关闭。FET的基本结构通常包含三个端口：源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。通过在栅极施加电

MOS管（场效应管）通常有三个引脚，分别是源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。区分这三个引脚的方法如下：1. 引脚标识源极 (S): 通常标有 "S" 或 "S2"。漏极 (D): 通常标有 "D"。栅极 (G):

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）是现代电子电路中常见的电子元件，其源极（S）和漏极（D）的连接方式对电路的功能和性能有重要影响，但有时候可能会遇见S和D接在一起的情况，这是为什么？1、S和D为什么会连接在一起？①电路设计错误在电路设

在需要电平转换、逻辑“与”操作或节省IC驱动能力的场合中，开漏电路是最佳选择，因此遇到这些需求，工程师可以选择开漏电路，那么如何设计？1、选择适当的MOSFET使用N沟道MOSFET，其漏极（D）连接到外部VCC，源极（S）连接到输出端，栅

在电子电路中，同相放大电路因其输入阻抗高、输出阻抗低、相位无反转等特性被广泛应用。当然工程师会遇见许多关于同相放大电路的问题，其中之一是它输出电阻近似为0，这是为什么？1、共集电路结构特性同相放大电路的核心部分通常采用共集电极（或共源极，对

MOS管本质上属于静电放电（ESD）敏感器件，本身的输入电阻很高，但栅源极间电容很小，所以相对于其他元件，MOS管更容易受到外界电磁场或静电的感应而带电，也会在强静电场合难于泄放电荷，静电击穿现象更明显。那么如何解决这个问题？一般来说，静电

在电子工程中，米勒效应是一个重要的概念，尤其是在MOS管（金属氧化物半导体场效应管）开关的应用中，但有很多电子小白不太清楚这个效应，所以今天将开展这个话题的讨论，希望对小伙伴们有所帮助。按定义来说，米勒效应是指在MOS管的栅极和源极之间加上

众所周知，模拟电路设计难学，以最普遍的来说，我们分析它的时候必须首先分析直流偏置，其次在分析交流输出电压。可以说，确定工作点就是一项相当麻烦的工作(实际中来说)，的参数多、参数的离散性也较大。但值得我们注意的是，构建了电子行业的基础，至今为止，电子技术已经发展到如此高的水平。但如果我们观察各种电子电路的发展，我们会发现：几乎所有的电子技术都离不开放大技术。即使是数字芯片内部，其基本单元都是互补型源极接地放大电路。模拟电路设计技术的重要性不言而喻。

电路设计常用直流电源 在很多的电子产品设计中，电源部分是极为重要的，也是很容易损坏的。一方面是输入的电源极性错误，这个我们之前的文章，也介绍了一部分防止极性发生错误的电路。另外一方面是输入的电压过高。下面我们主要讨论如何简单、可靠的解决电路设计这个问题。 比如在电子器件电源前端的电源不稳定，如汽车电瓶在汽车启动时，会产生很大的浪涌电压。对于此类过压电源的保护，一般采用TVS管去保护。一般应保证TVS管应工作在后端电源芯片器件的正常电压VCC以上，最大工作电压Vmax以下。 TVS管应用电路

振荡回路：开关变压器的主绕组N1、Q1的漏--源极、R4为电源工作电流的通路;R1提供了启动电流;自供电绕组N2、D1、C1形成振荡芯片的供电电压。这三个环节的正常运行，是电源能够振荡起来的先决条件。

英飞凌OptiMOS?源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置-OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。