当摩尔定律放缓，3D芯片堆叠成为延续性能跃升的关键路径。这项技术如何实现“芯片叠罗汉”？答案藏在硅通孔、微凸点与热管理创新中。一、核心工艺：TSV技术穿透硅层硅通孔（TSV）刻蚀深反应离子刻蚀（DRIE）在硅片上打出微米级孔洞，纵横比可达1

众所周知，现阶段半导体工艺已经逼近物理极限，目前芯片堆叠与Chiplet技术已成为突破二维平面限制的两大技术路线，前者通过垂直堆叠实现空间压缩，后者凭借着模块化设计重构技术集成，这两类如何选？1、技术本质与实现差异芯片堆叠采用三维集成工艺，

之前我们聊了下多层板的堆叠技术及技巧，接下来我们来聊聊它们的规则，多层板的设计和制造过程中需要遵循一系列的堆叠规则，以此确保其性能、可靠性和稳定性，所以堆叠规则还是很重要的，下面一起来看看吧。需要注意的是：不遵循这些规则，很容易产生很多问题

随着电子设备的复杂性和集成度越来越高，PCB多层板应用频率越来越高，是许多电子工程师的关键技能，多层板设计涉及到一系列复杂问题，如SI&PI、电源分布、热设计等。如果新手工程师想学习多层板的堆叠设计该如何做？1、多层板堆叠设计的基础知识①层

近日，国家知识产权局官网公开的信息显示，华为技术有限公司公开了“一种芯片堆叠封装及终端设备”专利。据摘要显示，本公开涉及半导体技术领域，其能够在保证供电需求的同时，解决因采用硅通孔技术而导致的成本高的问题。（截图自国家专利局）（截图自国家专

近日，国家知识产权局官网公开的信息显示，华为技术有限公司公开了“一种芯片堆叠封装及终端设备”专利。据摘要显示，本公开涉及半导体技术领域，其能够在保证供电需求的同时，解决因采用硅通孔技术而导致的成本高的问题。专利文件显示，该芯片堆叠封装包括：

众所周知，计算机性能的提升主要依赖于其搭载的处理器的进步，如高通骁龙的迭代更新、华为麒麟芯片的换代更新等。而芯片性能的提升主要依赖于芯片技术的更新完善，如台积电、三星等是提升芯片的先进制程来提升性能，使得芯片从28nm到14nm甚至5nm，