作为组成芯片的基本元件，晶体管的尺寸和数量多少将决定着芯片的性能大小，为了尽可能达到芯片，晶体管早已接近物理极限，其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。据媒体报道，中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究员狄增峰所带领的团队，成功开发出

近日，中科院物理研究所科研人员通过优化生长工艺，改善晶体结晶质量，成功制备单一4H晶型的8英寸碳化硅（SiC）晶体，并加工出厚度约2mm的8英寸SiC晶片，实现了国产大尺寸碳化硅单晶衬底的突破。据了解，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，