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凡亿专栏 | ​旁路和去耦为什么能抑制EMI辐射?
​旁路和去耦为什么能抑制EMI辐射?

很多工程师会在EMC电路里配备旁路和去耦,有效抑制EMI辐射,但很多人都不清楚这其中的缘由,所以本文将讲清楚为什么旁路和去耦可以抑制EMI辐射,以及该怎么去做。

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通常来说,旁路和去耦是抑制辐射EMI的有效手段,PCB在经过旁路和去耦之后,可减轻板内各电路元件之间、系统内各功能模块间通过蒂娜元系统传导耦合和向空间辐射干扰。电源的旁路可用于消除共模EMI到敏感区域的射频噪声,并能起到限制带宽的作用。去耦可用于消除高频分量产生的射频能量,去耦电容也能为元器件或设备提供一个局部直流电源,并对降低在PCB上传输的浪涌电流特别有效,而且适当的电源去耦在印刷电路板电磁干扰控制方面具有两个重要有点。

1、电源分配系统的电容量增大,将减少分配系统的总阻抗,进而减小电源公共阻抗耦合所产生的干扰。

2、放置在集成电路芯片上的电源引脚与地线引脚之间的去耦电容器,使供电回路和信号回路面积减小,进而减小电源环路干扰。

把去偶电容加载PCB的电源端和接地端之间,如图所示,首先,去耦电容为PCB的瞬态变化电流提供一个就近的高频通道,使该电流不至于通过环路面积较大的供电线路,从而大大见笑了PCB的辐射发射。其次,由于各高频元器件都有自己的高频通道,相互之间没有公共阻抗,因而抑制了共阻抗耦合,不必通过供电线路较远的电源回路中通过,因此电源线路中的电感不至于影响高频器件的速度。

最后,由于去耦电容的充放电左右,使集成片得到的供电电压比较平稳,减少了信号的振荡。

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