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凡亿专栏 | 800V电池平台对BMS硬件设计有什么影响与要求
800V电池平台对BMS硬件设计有什么影响与要求


回去搬砖了,在家这一周挺充实的,每一天都闲不住,下午还可以睡个两小时。


目前各大主机厂都在推800V平台的电动汽车(图片来源于网络),俨然已经成为各位工程师工作中都需要参与的产品,所以需要了解800V系统给BMS硬件设计带来了哪些影响。

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800V平台是一个统称,例如目前已经很成熟的400V平台,它们都是指电池系统的电压等级,但400V或800V只是一个典型值,实际电压是在一个范围内波动的;由400V平台提高到800V平台的主要原因是解决快充问题与提高续航,在最大充电电流受限的情况下,这样可以提高充电功率而又不会增加充电的时间,而且可以放更多的电芯提高续航。(图片来自于网络)

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800V平台对BMS硬件设计的影响与要求总结起来主要有以下几点。

电芯节数增加

400V平台的串联电芯典型数量为96s,而800V平台的串联电芯典型数量就为192s,这样带来的直接影响就是AFE数量的翻倍、成本的提高。

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更多的电芯带来更大的数据量,为了不增加单体状态信息的传输时间间隔,可能需要提高菊花链通信的速率,例如目前从1Mbps提高到2Mbps;现在主流厂家的AFE支持的通信波特率都提高到了2Mbps(下图来自ADI官网),但是通信波特率的提升,也带来了新的问题,例如通信网络变压器的性能需要重新匹配验证(例如低温下的通信误码率)、通信端口的阻容匹配也要重新做(例如共模滤波电容),还有引起EMC新的辐射超标问题。

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安规设计影响

安规设计包括安规距离与安规器件两部分,这些设计主要体现在BMS的高压采样板上;安规距离(电气间隙、爬电距离)在800V平台上面直接提高了一倍,带来的影响就是需要更大的PCB面积;具体的安规距离计算方法可以参考之前的文章BMS里面的安规设计:电气间隙与爬电距离(下),这里不展开了。

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至于安规器件,例如菊花链网络变压器、光MOS、数字隔离器等,在800V平台上都需要重新选择,而且选择面会窄很多;这些安规器件的选择与应用可以参考之前的文章PhotoMOS与干簧管---聊聊绝缘检测电路中的隔离器件。除此之外,单板上面的高压连接器也需要重新选择。

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充电复杂性(BOOST电路)

目前800V平台的电池包,想要正常充电需要充电桩可以支持输出这么高的电压,但目前市场上400V平台的充电桩占绝大多数,所以为了可以使用400V的充电桩给800V平台的车充电,目前阶段解决方法是在整车上面加了一个BOOST升压转换电路,类似下图。

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这种场景下对BMS软件的影响比较直观,软件上面需要识别什么时候让BOOST电路工作,充电的控制逻辑会变得复杂;而对于BMS硬件来讲,BOOST电路的增加可能会带来继电器的增加,那么就需要做它的粘连检测(增加电压采样),还有BOOST电路可能会增加X电容,它可能会带来意想不到的问题,我就遇到过。

DV测试准确性

在800V平台使用的BMS产品,它们在做型式试验时,外部的负载或电源需要好好选取,要可以覆盖到800V平台的整个电压区间范围;很多器件在高压下的性能会直线降低,如果使用400V平台的负载去测试800V的产品,很多问题是测不出来的,遗憾的是,我也遇到了。

总结:

这周出差去解决问题,头疼;以上所有,仅供参考。

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