利用场管内部的寄生二极管的单向导通特性对场管的好坏进行判断。
这样做的目的对场管内部的寄生电容进行放电,防止有压差,使它内部产生导通,使得测量有误。
万用表打到二极管档,然后用两个表笔对这个 MOS 管的漏极和源极进行正反向测量。
用万用表测量内部二极管,正向测量时应该有一个零点几伏的压降,反向应该截止,不符合的话,说明管子坏了。
对于 N 沟道场管:
对于 P 沟道场管:
一个好的 MOSFET 正向测量时内部二极管应该有 0.4V 至 0.9V 的压降(取决于MOSFET类型),如果压降为零,则 MOSFET 有缺陷,当读数为“开路”或无读数时,MOSFET也有缺陷。
当反向测量场管内部二极管时,压降应为“开路”或无读数。如果压降为零,则MOSFET有缺陷。
下图显示正向 N 沟道管源漏极之间的二极管有 0.52V 的压降:
反向测量内部二极管开路:
下图显示一个损坏的 N 沟道场管反向测量内部二极管有 0.404V 的压降:
还是二极管档,场管一共三个引脚,两两测量一共有六种组合。一个好的场管除了正向测量漏源极之间的二极管为有压降,其他任何引脚之间都不应该有压降。
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