1、VCC_DDR覆铜宽度需满足芯片的电流需求，连接到芯片电源管脚的覆铜足够宽，路径不能被过孔分割太严重，必须计算有效线宽，确认连接到CPU每个电源PIN脚的路径都足够。

2、VCC_DDR的电源在外围换层时，要尽可能的多打电源过孔（9个以上0.5*0.3mm的过孔），降低换层过孔带来的压降；去耦电容的GND过孔要跟它的电源过孔数量保持一致，否则会大大降低电容作用。

3、如图1所示，原理图上靠近RK3588的VCC_DDR电源管脚的去耦电容务必放在对应的电源管脚背面，电容的GND PAD尽量靠近芯片中心的GND管脚放置，其余的去耦电容尽量靠近RK3588，如图2所示。

4、RK3588 芯片 VCC_DDR 的电源管脚，每个管脚需要对应一个过孔，并且顶层走“井”字形，交叉连接，如图3所示，建议走线线宽 10mil。

图1 RK3588芯片VCC_DDR的原理图电源管脚去耦电容

图2 电源管脚背面去耦电容放置

图3 VCC_DDR&VDDQ_DDR电源管脚“井”字形链

当LPDDR4x 时，链接方式如图4所示：

图4 RK3588芯片LPDDR4x模式VCC_DDR/VCC0V6_DDR的电源管脚走线和过孔

5、VCC_DDR电源在CPU区域线宽不得小于120mil，外围区域宽度不小于200mil，尽量采用覆铜方式，降低走线带来压降（其它信号换层过孔请不要随意放置，必须规则放置，尽量腾出空间走电源，也有利于地层的覆铜，如图5所示）。

图5 RK3588 芯片 VCC_DDR&VDDQ_DDR 电源层覆铜情况

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