在半导体制程技术进入5nm先进工艺后，EUV光刻机已成为不可或缺的关键设备，但由于能制作的EUV光刻机厂商仅有ASML，而且产能有限、造价高昂，每台售卖超1亿美元，相当高的条件，决定了现在的芯片成本越来越贵。

然而，日本佳能（Canon）号称已经成功制作出无需EUV技术的5nm光刻机，其已经开始销售基于“纳米印刷”（Nanoprinted lithography）技术的芯片生产设备，货号为FPA-1200NZ2C。

据佳能表示：该设备采用了不同于复杂光刻技术的方案及工作原理。和ASML不同，其并不利用光学图像投影的原理将集成电路的微观结构转移到硅晶圆上，而是更类似于印刷技术，直接通过压印形成图案。

据佳能的合作伙伴铠侠表示：NIL技术可大幅减少耗能，并降低设备成本，原因在于NIL技术的微影制程较为单纯，耗电量可压低至EUV 技术的10%，并让设备投资降低至仅有EUV 设备的40%。

不过，虽然NIL技术有许多的优点，但现阶段在导入量产上仍有不少问题有待解决，其中包括更容易因空气中的细微尘埃的影响而形成瑕疵。

虽然之前有这方面的研究及设备，但客户认为该产品缺陷率较高，最后没有实际应用。不知佳能的NIL制造设备能否让客户满意。

次佳能发布的这套设备可以应用于最小14平方毫米的硅晶圆，从而可以生产相当于5nm工艺的芯片。

佳能表示会继续改进和发展这套系统，未来有望用于生产 2nm 芯片。