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凡亿专栏 | Silvaco TCAD工艺仿真外延、抛光和光刻
Silvaco TCAD工艺仿真外延、抛光和光刻

1 •外延的命令epitaxy,参数及其说明如下:


1.1外延的例子

1.3光刻仿真

•OPTOLITH模块可对成像(imaging),光刻胶曝光(exposure),光刻胶烘烤(bake)和光刻胶显影(development)等工艺进行精确定义

••OPTOLITH提供光阻的库及其光学性质和显影时的特性(这些可根据需要修改)

••主要的小工艺步骤有:

   mask,illumination,projection,filter,layout,Image,bake,expose和develop

go athena

set lay_left=-0.5

set lay_right=0.5


illuminationg.line

illum.filterclear.fil circle sigma=0.38


projectionna=.54

pupil.filterclear.fil circle


layoutlay.clearx.lo=-2  z.lo=-3 x.hi=$lay_left  z.hi=3

layout  x.lo=$lay_right  z.lo=-3 x.hi=2 z.hi=3


imageclear win.x.lo=-1 win.z.lo=-0.5win.x.hi=1  \

     win.z.hi=0.5 dx=0.05 one.d


structureoutfile=mask.strintensity mask

tonyplotmask.str

linex loc=-2  spac=0.05

linex loc=0   spac=0.05

linex loc=2   spac=0.05

liney loc=0   spac=0.05

liney loc=2   spac=0.2

initsilicon orient=100 c.boron=1e15two.d


depositnitride thick=0.035 div=5

depositname.resist=AZ1350Jthick=.8 divisions=30

rate.devname.resist=AZ1350Ji.linec.dill=0.018


structureoutfile=preoptolith.str

tonyplot  preoptolith.str


expose  dose=240.0 num.refl=10

baketime=30 temp=100

developkimtime=60 steps=6 substeps=24


structureoutfile=optolith.str

tonyplot  optolith.str


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