前面章节讲了MOS管的一些特性，就有一些同学留言问能不能讲一下MOS管的基础知识，我前面也说了很多有关于MOS的文章，那这一章我们还是简单的说一下MOS管的基础知识。

     MOS管是FET的一种，可以被制作成增强型和耗尽型，P沟道或N沟道类型，在我们开关电源设计时，一般使用的是增强型N沟道MOS和增强型P沟道这两类MOS管，对于这两类MOS管，我们更常见的应该是NMOS，这是因为我们在选型时都会考虑MOS的导通电阻、最大电压、最大电流等等因素，相对于P沟道的MOS管，N沟道的MOS管导通电阻较小，且较于容易制作，所以开关电源中一般都采用NMOS。

        我们在电路图中一般都可以看到，MOS管的漏极和源极之间有一个寄生二极管，这个二极管我们称为体二极管，在驱动负载时，这个二极管起着很重要的作用，还有在原理图上看不到的是MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，而这个寄生电容对于我们电源设计人员选择驱动电路时会麻烦一些，但这个是由于制造工艺限制产生的，是无法避免的。

        对于MOS管导通，N沟道和P沟道是不一样的，对于N沟道的MOS管，当Vgs大于一定数值就会导通，所以这类MOS管适合用于源极接地的低端驱动，只要栅极电压达到4V或者10V就可以了；而对于PMOS管，当Vgs小于一定的数值就会导通，适合用于源极接VCC的高端驱动，虽然PMOS可以很方便的用于高端驱动，但是由于导通电阻大，价格贵、替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是选择使用NMOS。

        不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量， 这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率 MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流 过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损 失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时 的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

       下面，我们以一个例子来简单说一下NMOS的工作原理：

        Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过Vh。

        Q1 和Q2 组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3 和Q4 不会同时导 通。

        R2 和R3 提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比较陡 直的位置。

        Q3 和Q4 用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3 和Q4 相对Vh和GND最低都只有一个Vce 的压降，这个压降通常只有 0.3V左右，大大低于 0.7V的Vce。 

        R5 和R6 是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5 对Q1 和Q2 的基极产 生一个强烈的负反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5 和R6 来 调节。 

        R1 提供了对Q3 和Q4 的基极电流限制，R4 提供了对MOS管的gate电流限制，也就是 Q3 和Q4 的Ice的限制。必要的时候可以在R4 上面并联加速电容。