在电子设备的研发和生产中，静电放电（ESD）的存在，会导致设备故障，甚至对电路造成永久性损害，因此许多工程师针对ESD干扰路径，解决ESD问题。

1、高电场容性耦合路径

静电放电时，初始的电场能够以容性耦合的方式影响表面积较大的网络。在离ESD电弧约10cm处，即可产生高达几KV/m的电场。此路径下，干扰源与邻近导体间形成的寄生电容是关键因素。干扰电流I可通过公式I=C*dv/dt计算，其中C为寄生电容，dv为脉冲电压，dt为脉冲的上升时间。此电流流过电路时，将产生脉冲电压，可能导致产品故障。

2、强磁场感性耦合路径

ESD电弧还会产生一个强度高达1至几百兆的磁场。在离ESD电弧约10cm处，磁场强度可达几十A/m。此路径下，瞬态磁场经过电路中的环路时，会在环路中产生感生电动势U，其大小可通过公式U=Su0ΔH/Δt计算，其中S为环路面积，u0为空气磁导率，ΔH为磁场强度的变化量，Δt为ESD电流的上升时间。感应电压随后可能通过容性耦合进入产品内部，造成干扰。

本文凡亿教育原创文章，转载请注明来源！