场效应晶体管（Field-effect Transistor，简称FET）作为一种关键的电子元器件，在现代电子电路中扮演着举足轻重的角色。重点学习场效应晶体管是很有必要的。

1、场效应晶体管是什么？

场效应晶体管是一种通过电场效应控制电流的电子元器件。它依靠电场控制半导体材料中某种类型载流子的沟道导电性，从而实现对电流的控制。FET有时也被称为单极性晶体管，与双极性晶体管（BJT）形成对比。

2、场效应晶体管的组成

场效应晶体管主要由半导体材料构成，硅是最常见的材料。FET通过传统的块体半导体制造技术生产，使用单晶半导体硅片作为反应区或沟道。此外，FET还包括栅极、源极和漏极等关键组成部分。

3、场效应晶体管的特点

电压控制器件：FET通过栅源电压来控制漏极电流，这是其最基本的特性。

输入端电流极小：FET的输入端电流极小，导致输入电阻很大，这使得它在电子电路中具有较高的灵敏度和稳定性。

温度稳定性好：FET利用多数载流子导电，因此其温度稳定性相对较好，适用于各种温度环境下的应用。

电压放大系数较小：FET组成的放大电路的电压放大系数通常小于由三极管组成的放大电路，但这并不影响其在特定应用中的优势。

抗辐射能力强：FET具有较强的抗辐射能力，适用于航天、军事等辐射环境恶劣的领域。

噪声低：FET的噪声水平较低，适用于需要高精度和低噪声的电子电路。

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