模拟电子技术是电子工程领域的基础，涵盖了众多核心概念和原理，本文将体力额模电知识的精华，去繁就简，为小伙伴们提供一份简洁而全面的学习指南。

• 硅二极管门槛电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.7V。

• 锗二极管门槛电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2V。

• 二极管正向电阻小，反向电阻大。

• 二极管主要特性：单向导电性。

• PN结反向偏置时，内电场增强。

• 稳压二极管与负载并联，需加入电阻。

• 模拟电子技术研究平滑、连续变化的电压或电流信号。

• 二极管正向导通电流由多数载流子扩散运动形成。

• P型半导体多子为空穴，N型多子为自由电子。

• 杂质半导体分为空穴(P)和电子(N)两类。

• 二极管参数：最大整流电流和反向击穿电压。

• 硅二极管开启电压约为0.5V。

• 频率响应指输入正弦信号时，输出随频率变化的稳态响应。

• N型半导体多数载流子是电子，少数是空穴。

• 功率放大电路分为甲类、乙类、甲乙类。

• 阻容耦合多级放大电路受耦合和旁路电容影响低频信号，受结电容影响高频信号。

• 共射放大电路中，β增加则IBQ、ICQ增大，UCEQ减小。

• 三极管工作区域：截止、饱和、放大。

• 集成运算放大器采用直接耦合方式。

• 根据管脚电压判断三极管类型和集电极。

• 对数增益相加得总增益，电压放大倍数计算。

• 三极管放大条件：发射结正偏，集电结反偏。

• 放大电路耦合方式：阻容、直接、变压器耦合。

• 多级放大电路负载为后级输入电阻，前级输出电阻为信号源内阻。

• 根据输出电压变化计算放大电路输出电阻。

• 三极管放大区工作条件。

• 放大器级间耦合方式。

• 三极管放大电路组态特性。

• 三极管放大电路基本组态：共集、共基、共射。

• 多级放大器耦合连接方式。

• 共射放大电路VO和VI相位差为180°，共集电极电路为0。

• 放大器失真类型：饱和失真和截止失真。

• 晶体管工作区域与偏置条件。

• 放大电路组态选择与特性。

• 场效应管输入电阻大，热稳定性好。

• 影响放大电路通频带下限的是隔直电容和极间电容。

• 三极管放大区偏置条件。

• 场效应管组态：共源、共栅、共漏。

• 多级放大电路通频带比单级窄。

• 场效应管类型：结型FET和MOSFET。

• 场效应管是电压控制电流器件。

• 场效应管工作情况分区。

• 栅源电压为零时，增强型FET无导电沟道，结型FET沟道电阻最小。

• FET是电压控制器件，BJT是电流控制器件。

• 甲类功率放大电路效率最低。

• 乙类推挽功放功率管选择。

• 甲乙类电路消除交越失真。

• 乙类功放优点与缺点。

• 乙类互补对称功率放大电路交越失真。

• 差动放大电路长尾电阻作用：引入共模负反馈。

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