Cool-MOS（超级结MOSFET）在高频开关电源等领域展现出其独特的优势，但其抗浪涌及耐压能力较差的问题也不容忽视。下面分析为什么CMOS系统的抗浪涌及耐压能力差的原因。

1、SJ-MOS结构特性

内部结构设计：SJ-MOS（超级结MOSFET）的结构特点导致其在实际应用中可能表现出抗浪涌及耐压测试不合格的情况。这种结构上的特性限制了其在某些高浪涌或高电压环境下的应用。

2、制造工艺限制

材料选择与工艺：在制造过程中，SJ-MOS的材料选择和工艺控制可能无法完全满足高抗浪涌和高耐压的要求。例如，绝缘层的厚度、均匀性以及掺杂浓度的控制等都会影响器件的抗浪涌和耐压性能。

3、应用环境考量

通信电源等特殊应用：在通信电源、雷击要求较高的电源产品等特殊应用环境中，SJ-MOS可能无法承受突如其来的高浪涌电压或长时间的高电压负载，从而导致失效或性能下降。

4、保护电路设计不足

①浪涌保护缺失：在某些SJ-MOS的应用电路中，可能缺乏足够的浪涌保护设计。当遇到高浪涌电压时，没有有效的保护机制来吸收或旁路这些浪涌能量，从而导致器件损坏。

②耐压冗余不足：在设计过程中，可能没有为SJ-MOS提供足够的耐压冗余。在实际应用中，当电压接近或超过器件的额定耐压值时，器件可能无法承受而导致击穿或失效。

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