众所周知，要想产品顺利上市，就得在产品研发阶段注重电磁干扰（EMI）问题，且90%的EMI问题可通过器件选型与布局预防，下面将基于实际整改案例，谈谈EMI整改器件。

1. X/Y电容

差模抑制：X电容选型需遵循"2-2-2原则"

电源入口并联2颗X2电容（0.1μF+0.01μF）

关键信号线对角并联2颗X7R电容（10nF）

高频段增补2颗NPO电容（1nF）

共模泄放：Y电容安全规范

单组Y电容容量≤4.7nF（FCC Part 15标准）

漏电流I=2πfCV需＜5mA（220VAC工况）

优先选用Y5U/Y5V材质（温度特性优于Y4V）

2. 共模/差模电感

共模扼流圈：三维度选型法

磁芯材质：铁氧体（1kHz-30MHz）/非晶（30MHz-1GHz）

感量计算：L=1/(π²f²C)（f为干扰频率，C为Y电容容值）

匝数匹配：差模电流＞1A时，线径需满足I/A≥3A/mm²

差模滤波：电感量与信号频率的博弈

数字信号：L≤Z0/(2πf)（Z0为特征阻抗，典型值50Ω）

模拟信号：L≥RLOAD/(2πf)（RLOAD为负载电阻）

3. 磁珠

高频抑制：三频段选型策略

50MHz以下：选μi＞8000的锰锌磁珠

50MHz-300MHz：选μi＞5000的镍锌磁珠

300MHz以上：选多层复合磁珠（阻抗峰值＞600Ω@1GHz）

功率耐受：直流电阻降额使用

信号线：选Rdc＜0.5Ω（实测温升＜10℃）

电源线：选Rdc＜0.1Ω（通过25℃/1000h寿命测试）

4. 磁环

材质匹配：

电源线：锰锌磁环（初始磁导率＞5000）

信号线：镍锌磁环（工作频率＞50MHz）

脉冲干扰：非晶磁环（Bs＞1.5T）

绕制工艺：

共模抑制：线束双线并绕（L1/L2电感量偏差＜5%）

差模增强：单线绕制匝数N=√(L/Al)（Al为电感系数）

本文凡亿教育原创文章，转载请注明来源！