基准电压源是模拟电路的核心模块，其精度与稳定性直接决定ADC/DAC转换、电源管理等系统的性能。

一、齐纳二极管基准

原理：利用齐纳二极管反向击穿区电压稳定特性，当反向电压达到击穿电压时，电流突变而电压维持恒定。

特性：

电路简单，成本低于0.1美元

温度系数达+2mV/℃，动态电阻＞100Ω

适用于低精度场景（如消费电子电源指示）

二、带隙基准

原理：通过双极晶体管Vbe的负温系数与ΔVbe的正温系数叠加，实现零温度系数基准输出。

特性：

温度系数＜5ppm/℃，噪声低至3μVpp

典型应用：高精度ADC（如24位Σ-Δ型）

代表器件：MAX6325（0.02%初始精度）

三、并联型基准

结构：稳压元件（齐纳/带隙）与负载并联，串联电阻分压限流。

特性：

电源抑制比（PSRR）＞60dB@1kHz

需计算限流电阻：R=(Vin-Vref)/(Iload+Iq)

典型场景：工业PLC模拟输入模块

四、串联型基准

结构：稳压元件与运放构成负反馈环路，实现高精度调节。

特性：

输出阻抗＜1mΩ，负载调整率＜0.01%

需关注运放带宽与压摆率

高端应用：医疗超声成像前端

五、电阻分压网络

原理：通过精密电阻分压获取基准电压。

特性：

成本最低方案，电阻匹配度决定精度

温度系数受限于电阻TC值（如10ppm/℃）

适用场景：低成本MCU内部参考

六、XFET基准

原理：采用离子注入JFET产生夹断电压差，经运放放大输出。

特性：

温度漂移3-8ppm/℃，长期稳定性50ppm/1000h

典型器件：LTZ1000（0.05ppm/℃超低漂移）

高端计量设备首选方案

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