在 3D-IC 设计中，热挑战可能会对性能达标带来重大影响。尽管近年来摩尔定律的步伐有所放缓，但借助系统技术协同优化（STCO）方法，有望利用新兴技术产品（包括 3D 技术）调整系统架构，从而缓解工艺发展瓶颈。 

本白皮书分析了嵌入式微凸点（EμBump）和晶圆对晶圆混合键合（W2WHB）的材料特性对 3D-IC 封装堆叠热行为的影响。 

图1：随着 EμBump 和 W2WHB 的 3D 界面层金属密度的增大，芯片层中的 Tmax 和 Rth

本白皮书介绍了先进 CMOS BEOL 工艺和 3D 界面层的热分析，涉及不同的 3D 技术和横截面假设、3D 堆叠配置以及系统级分区方案。具体而言，本白皮书重点分析 EμBump 和 W2W HB 3D 堆叠技术，研究 3D 界面层金属密度对堆叠设计热行为的影响。通过比较双裸片 3D-IC 中的 memory-on-logic（MoL）、logic-on-memory（LoM）和 logic-on-logic（LoL）以及 memory-on-memory-on-logic （MoMoL）配置中的 3 裸片堆叠，探讨了 3D 分区方案对堆叠设计最高温度的影响。 

图2：2 裸片和 3 裸片配置中不同堆叠和分区选项的 Tmax