一节课认识一种器件，这个速度的确让很多同学招架不住，好在我们还可以课后加餐，睡前重温一下内容~~~

Field Effect Transistor

场效应管(Field Effect Transistor，FET)是一种利用电场效应控制电流的三端放大器件。它是电子领域的新宠，不仅具有体积小、重量轻、耗电省、寿命长等特点，而且还有输入阻抗高、噪声低、抗辐射能力强和制造工艺简单等优点。场效应管有两种类型，金属-氧化物-半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor FET，MOSFET)和结型场效应管(Junction FET，JFET)。其中MOSFET在大规模和超大规模集成电路占重要地位。也许在座的有些同学以后工作中会专门研究这个小东西呢。

同样看一个科普视频，直观感受一下MOSFET的原理和应用(字幕中个别字有笔误哦)

视频只作为科普，视频来源于网络

重点一     FET的分类

JFET应用相对较少，因此咱们就不提了，单MOSFET来看，就有N沟道增强型MOSFET、P沟道增强型MOSFET、N沟道耗尽型MOSFET和P沟道耗尽型MOSFET。我们学这四种也就够了

Field Effect Transistor

重点二  N沟道增强型MOSFET的工作原理

场效应管的工作原理和晶体三极管不同，BJT是基极电流控制集电极电流，但MOSFET的栅极是绝缘的，根本没电流，因此需要注意下面两个要点

第一：需要从它名称出发：电场效应引起电流变化。要牢牢把握的是栅源之间的电压VGS和漏源之间的电压VDS对输出电流ID(沟道)的影响

第二，增强型MOS管的结构特点是最开始没有导电沟道

VGS对沟道的影响

VGS=0时没有导电沟道，直到增加到形成沟道，这时的电压称为开启电压VT，即VGS=VT时，沟道形成，之后VGS越大，沟道越大

VDS对ID的影响

漏源电压在MOS管有了导电沟道之后开始起作用。

VDS越大，ID越大，直到VDS=VGS-VT时出现预夹断；预夹断之后，也就是VDS>VGS-VT，VDS增大，ID基本不变

Field Effect Transistor

重点三  N沟道增强型MOS管的伏安特性曲线

输出特性曲线

漏源电压用于区分可变电阻区和恒流区

0~（VGS-VT）之间是可变电阻区

大于(VGS-VT)是恒流区

转移特性曲线

Q😧: 为何FET不画输入特性曲线？

A😎:因为MOS管的输入电流，也就是栅极电流一直等于0

栅源电压决定MOS管是否工作，

VGS，电流为零，导电沟道没有形成，管子截止；

VGS≥VT，有了导电沟道，漏源才导通

Field Effect Transistor

难点  四种场效应管的特性比较

注意：耗尽型MOS由于器件内存在原始导电沟道，所以不再需要通过VGS增大到形成导电沟道后，管子才工作，耗尽型管子在VGS=0时就可以工作。而由于开始就有导电沟道，如果VGS减小，沟道会减小，直至等于夹断电压VP时沟道消失。

N沟道MOS管 正常工作要求VDS>0

P沟道MOS管 正常工作要求VDS<0<>

Q:上述四种MOSFET的输出特性曲线，怎么感觉都差不多呀，应该如何区分呢？

A:先区分N沟道和P沟道

看VDS，

VDS是正值为N沟道；VDS是负值为P沟道

A: 后区分增强型和耗尽型

看输出特性曲线中是否有VGS=0的那条曲线

有VGS=0的曲线，为耗尽型

无VGS=0的曲线，为增强型

懂了吗？😎😎😎😎😎😎

现学现用，留言区里等着各位哦ฅʕ•̫͡•ʔฅ