自举电容是BUCK电路中驱动高侧MOSFET的核心元件，其容量不足会导致驱动电压下降、输出电压波动、UVLO保护触发及高频振铃等问题。

1、计算最小电容值

根据高侧MOSFET的栅极电荷（Qg）、开关频率（fSW）及允许的电压降（ΔVBOOT），通过公式CBOOT ≥ Qg / ΔVBOOT计算最小电容值。例如，若Qg=10nC、ΔVBOOT=0.5V，则CBOOT需≥20nF。

2、考虑实际工况

需预留20%-30%的余量以应对温度变化、电容老化等因素。同时，选择低等效串联电阻（ESR）的陶瓷电容（如X7R材质），以减少寄生损耗。

3、优化PCB布局

缩短自举电容与SW节点的走线长度，降低寄生电感。必要时可并联小容量电容（如10nF）以抑制高频振铃。

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