凡亿教育-思敏
凡事用心,一起进步
打开APP
公司名片
凡亿专栏 | PN结的反向击穿
PN结的反向击穿

1. 基本结构

   PN结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。如下图所示。

      image.png

2. 二极管的电路符号及伏安特性如下图:

    image.png

     image.png

3. 主要参数

(1)最大整流电流Iom

     二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。

(2)反向击穿电压UBR

二极管反向击穿时的电压值,击穿时反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏,手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。

(3)反向电流IR

指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大,说明管子的单向导电性差,因此反向电流越小越好。反向电流受温度影响,温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小,锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。

以上均是二极管的直流参数,二极管的应用是主要利用它的单向导电性,主要应用于整流,限幅,保护等等。

    

 


声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表凡亿课堂立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容图片侵权或者其他问题,请联系本站作侵删。
相关阅读
进入分区查看更多精彩内容>
精彩评论

暂无评论