使用运放电流检测,检测方式有高端检测和低端检测两种运放电路。
高端运放电流检测
优点:-可以检测区分负载是否短路-无地电平干扰
缺点:-共模电压高,使用非专用分立器件设计较复杂、成本高、面积大
低端运放电流检测
优点:-共模电压低,可以使用低成本的普通运算放大器
缺点:-检流电阻引入地电平干扰,电流越大地电位干扰越明显,有时甚至会影响负载
这里举一个例子,LMV321芯片,我们对我们的负载进行取样
我们使用我们的datasheet数据手册查找此芯片数据手册。
此处是低端电流取样检测,根据运放的虚短和虚短的原则,V-=V+;有(Vout-V-)/R=V-/R1; 这里整理公式:VOUT=V+*(R+R1)/R1. 然后我们算V+=mos流过电阻电流*R2 ,整理公式:mos流过电流电阻电流=V+/R2=VOUT*R1/(R+R1)/R2。
这里高端电流采样,根据虚短虚短关系列出关系式:(VOUT-V)R06-=(V-V)/R05,V+/R02=(VCC-V+)/R03,注意R06=R02,R05=R03,这里对称,V-VCC=采样电流I*R04。整理最后一项公式得出采样电流I=VOUT*R05/(R06+R04).
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