IGBT关断过程的分析上一篇，我们写了基于感性负载下，IGBT的开通过程，今天，我们就IGBT的关断过程进行一个叙述。对于IGBT关断的可以基于很对方面进行分析，而今天我们从电压电流对IGBT的关断过程进行分析。01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOS

全控型器件——电力晶体管电力晶体管（Giant Transistor——GTR）按英文直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar JunctionTransistor——BJT）1、结构和工作原理GTR与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的，最主要的特性是耐压高、电流大

电子电路中，有源元件（主动元件）主要包括以下几种类型：三极管：BJT（三极管）：双极性晶体管，广泛用于信号放大和开关。FET（场效应管）：如 MOSFET 和 JFET，主要应用于高频放大和开关电路。集成电路（IC）：包含多个电路功能的元件

场效应晶体管（Field-effect Transistor，简称FET）作为一种关键的电子元器件，在现代电子电路中扮演着举足轻重的角色。重点学习场效应晶体管是很有必要的。1、场效应晶体管是什么？场效应晶体管是一种通过电场效应控制电流的电子

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）作为电子设备中不可或缺的电子元器件，电子工程师需要判断其方向，保证后续的电路设计及维修，下面将谈谈如何判断，以此提供实用的技术指导。1、MOS管方向的基本判断规则寄生二极管方向判断：对于N沟道MOS管

功率放大器作为电子系统中的关键组件，根据其工作特性的不同，可分为甲类、乙类、甲乙类、丙类和丁类功率放大器，下面将谈谈这五种功率放大器的区别及分类。1、甲类功率放大器甲类功率放大器在整个工作周期内，晶体管的集电极电流始终是流通状态。这种放大器

晶体管和三极管之间有着密切的联系，但它们并不是完全相同的概念。定义：晶体管是一个广泛的术语，指的是以半导体材料为基础的电子器件，具有放大和开关功能。晶体管可以分为多种类型，包括双极晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）等。三极管是一种特定

场效应晶体管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子电路中。与传统的三极管不同，场效应晶体管主要依靠电场来控制电子通道的导通与关闭。FET的基本结构通常包含三个端口：源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。通过在栅极施加电

宽带放大电路用于放大信号的频率范围较宽的信号。典型的宽带放大电路主要包括以下几种类型：共射放大电路（BJT/共射放大器）：使用双极性晶体管（BJT）进行放大，具有较高增益和宽带特性。常用于音频和射频频率。共源放大电路（MOSFET/共源放大

主动元件和被动元件是电子电路中两类基本元件，它们在工作原理、特性和应用领域上存在显著差异。主动元件特性：增益特性：主动元件能够提供增益，即能够放大电信号。例如，运算放大器、晶体管和集成电路等。能量供给：主动元件可以从外部电源吸收能量，以驱动

运算放大器（简称运放）的低噪声特性是指其在工作时产生的噪声水平较低，以便更好地处理微弱信号。具体来说，运放的低噪声主要包括以下几个方面：输入噪声：运放具有输入电路的噪声，这些噪声主要来源于运放内部的电子元件（如晶体管、阻抗等）和输入信号。输

在电子元器件中，散热器是一种用于降低电子元器件（如晶体管、集成电路、功率放大器等）工作温度的设备。它通过增加表面积和促进空气流动来有效地散发热量，防止元器件因过热而损坏或性能下降。并且散热器的种类繁多，包括风冷散热器、液冷散热器、热管散热器

大家都知道，苹果除了自研处理器M系列，备受关注的同样有A系列手机芯片，而且该系列芯片研发历史悠久，适用产品诸多，不过你有了解过这个系列的芯片吗？近期，Creative Strategies首席执行官兼首席分析师Ben Bajarin发布了数

在乙类互补对称功率放大电路中，存在一种特有的失真现象，即交越失真。下面将介绍交越失真现象，希望对小伙伴们有所帮助。1、定义交越失真是指在乙类互补对称功率放大电路中，由于输入信号在零点附近变化时，晶体管不能立即从截止状态过渡到放大状态（或从放

CPU中晶体管数量的增加通常与性能提升密切相关，主要原因如下：并行处理能力：更多的晶体管允许CPU同时处理更多的任务或数据。这意味着可以在同一时间内执行更多的指令，从而提高整体计算速度。更复杂的指令集：随着晶体管数量的增加，CPU可以实现更

晶体管的放大电路主要有三种基本类型：共发射极放大电路、共集电极放大电路和共基极放大电路。以下是这三种放大电路的简要介绍：共发射极放大电路：配置：输入信号施加在基极与发射极之间，输出信号从集电极取出。特性：具有较高的电压增益和功率增益，适用于