在电子设计中，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为关键元件，其稳定性直接关系到整个电路的性能和可靠性。但如果遇到MOS管雪崩失效，必须提前做好预防措施，那么如何做？1、如何判断MOS管是否雪崩失效？①观察电压波形在MOS管工作时，使

在电子元件中，MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）因其具备高输入阻抗、低噪声级良好的开关特性备受工程师的青睐，然而在使用MOS管时可能会遇见其失效现象，那么这些失效现象是如何形成的？1、雪崩失效（电压失效）当MOS管的漏源电压（BV

首先祝大家五一快乐，今天翻看私信，看到有个朋友留言IGBT，本来计划是想先讲一下双极型晶体管后才衍生讲MOS，那既然有朋友想要了解，那我今天就先把MOS和IGBT都简答讲一下。 我们知道在开关电源中，功率MOS是最常选用的功率开关器件，在大多是场合下，它的成本和导通损耗

推挽电路实际上就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路。推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于电路中，每个管子负责各自正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高。推挽式电源由于结构简单，变压器磁芯利用率高，电路工作时

在高速电子开关中，很多电子工程师都在发愁过电压问题，过电压的存在可能对关键元件如IGBT（绝缘栅双极型晶体管）造成严重损害。为了解决这个挑战，雪崩二极管应运而生。1、雪崩二极管是什么？雪崩二极管是一种利用半导体内部载流子碰撞电离和渡越时间效

众所周知，晶体管是集成电路的基本单元，可调控由电子火空穴等载流子形成电流的大小。是所有电子产品不可或缺的核心组件之一。一般来说，载流子与周围环境处于热平稳状态，我们称之为“稳态”，如果使用电场加速等方法，可提升载流子的能量，使其成为“热载流

在电子电路设计中，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）基本上是串联状态，但有时候可能会并联，这是为了提高电路的电流承载能力或增加功率输出，但也带来许多问题，其中之一是是否需要对称？首先针对这个问题，答案是“是的”！MOS管并联时，其走线

作为组成芯片的基本元件，晶体管的尺寸和数量多少将决定着芯片的性能大小，为了尽可能达到芯片，晶体管早已接近物理极限，其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。据媒体报道，中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究员狄增峰所带领的团队，成功开发出

在电子产品设计与制造中，印刷电路板（PCB）作为核心部件，其温度控制尤为重要，局部温度过高不仅会影响电子元件的性能和寿命，还可能会引发故障甚至设备损坏，所以必须及时解决PCB温度过高的问题。1、优化元件布局将发热量大的元件如功率晶体管、大规

在电子系统设计中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的选型很重要，将直接影响系统的性能、效率和可靠性，本文将简洁介绍MOSFET器件选型的三大方法，希望对小伙伴们有所帮助。1、选择P沟道还是N沟道N沟道MOSFET：适用于低压侧开

硅光电三极管是一种光电转换器件，利用光电效应将光信号转化为电信号。它具有简单的结构、高灵敏度、快速响应速度等特点，广泛应用于光电检测、通信、光电测量等领域。01硅光电三极管基本结构硅光电三极管的结构基本上与普通的硅三极晶体管相似，主要由一个

NPN型三极管是一种常用的电子元件，广泛应用于电子电路中。它是一种双极型晶体管，由三个区域组成：发射区、基区和集电区。01NPN型三极管基本结构NPN型三极管由一块P型半导体材料夹在两片N型半导体材料之间组成。其中，夹在中间的P型材料称为基

摘要这些分立式GaAs pHEMT采用经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺设计。该工艺在高漏极偏置工作条件下通过先进的技术优化微波功率和效率。这些器件的工作频率范围为直流至20GHz。凭借这种性能水平，这些器件非常适合用于高效率