中介层和基板正经历着从单纯的中间媒介到工程化平台的深刻转变，在最先进的计算系统中，它们承担着电源分配、热管理、高密度互连以及信号完整性等重要功能。这一转变是由人工智能、高性能计算(HPC)和下一代通信技术所推动的，其中对异构集成的需求正不断挑战着封装技术的极限。尽管晶体管尺寸已缩小到个位数纳米级别，

GAAFET自问世以来，备受行业关注，人们认为它可以打破FinFET的物理极限，有益于推进3nm以下的工艺节点，那么它凭什么？1、GAAFET技术是什么？全称：Gate-All-Around Field-Effect Transistor（

FinFET技术自2011年商业化以来，已经统治半导体行业十余年，但随着工艺节点推进至3nm以下，其性能增长濒临物理极限，因此，GAAFET技术问世，逐渐成为下一代半导体主流。FinFET全称Fin Field-Effect Transis

什么是模拟IC设计？在本文中，我们将高层次地了解模拟集成电路的设计过程。1 模拟IC VS数字IC首先模拟IC设计与数字IC设计上有很大的不同。数字IC的设计大多是在抽象的层次上完成的，这些层次的系统和过程决定了门/晶体管级的布局和走线的细节，而模拟IC的设计通常涉及到每个电路更多的个性化焦点，甚至

被动元件是电子电路中的重要组成部分，与主动元件（如晶体管、集成电路等）相对。被动元件不提供增益或放大功能，而是对电流和电压进行控制和调节。以下是一些常见的被动元件及其基本描述：1. 电阻器功能：限制电流的流动，控制电压和电流的大小。应用：用

半导体行业研究人员长期以来一直期望能有更好的晶体管通道材料来取代硅，但硅器件的持续改进也让这种变化不断延后。硅继续提供着无与伦比的器件性能、可制造性和成本效益。然而，近年来，“硅的终结”这一说法变得越来越可能。晶体管需要更薄的通道来保持足够的静电控制，但随着芯片厚度降至3纳米以下，表面散射会导致通道

晶体管的发明和发展是20世纪电子科技史上的一项重大突破。以下是晶体管发展起来的主要过程和背景：早期背景在晶体管发明之前，电子设备主要使用真空管。真空管虽然能够放大电信号，但体积庞大、消耗电力大、易发热且不够可靠，因此在某些应用中存在诸多局限

芯片和线路板是电子设备中两个基本且重要的组成部分。尽管它们都在电子系统中发挥着关键作用，但它们的功能、形式和用途截然不同。以下是对芯片和线路板之间区别的详细剖析。一、芯片定义：芯片是指集成电路（IC），是将大量电子元件（如晶体管、电阻、电容

IGBT关断过程的分析上一篇，我们写了基于感性负载下，IGBT的开通过程，今天，我们就IGBT的关断过程进行一个叙述。对于IGBT关断的可以基于很对方面进行分析，而今天我们从电压电流对IGBT的关断过程进行分析。01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOS

全控型器件——电力晶体管电力晶体管（Giant Transistor——GTR）按英文直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar JunctionTransistor——BJT）1、结构和工作原理GTR与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的，最主要的特性是耐压高、电流大

电子电路中，有源元件（主动元件）主要包括以下几种类型：三极管：BJT（三极管）：双极性晶体管，广泛用于信号放大和开关。FET（场效应管）：如 MOSFET 和 JFET，主要应用于高频放大和开关电路。集成电路（IC）：包含多个电路功能的元件

场效应晶体管（Field-effect Transistor，简称FET）作为一种关键的电子元器件，在现代电子电路中扮演着举足轻重的角色。重点学习场效应晶体管是很有必要的。1、场效应晶体管是什么？场效应晶体管是一种通过电场效应控制电流的电子

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）作为电子设备中不可或缺的电子元器件，电子工程师需要判断其方向，保证后续的电路设计及维修，下面将谈谈如何判断，以此提供实用的技术指导。1、MOS管方向的基本判断规则寄生二极管方向判断：对于N沟道MOS管

功率放大器作为电子系统中的关键组件，根据其工作特性的不同，可分为甲类、乙类、甲乙类、丙类和丁类功率放大器，下面将谈谈这五种功率放大器的区别及分类。1、甲类功率放大器甲类功率放大器在整个工作周期内，晶体管的集电极电流始终是流通状态。这种放大器

晶体管和三极管之间有着密切的联系，但它们并不是完全相同的概念。定义：晶体管是一个广泛的术语，指的是以半导体材料为基础的电子器件，具有放大和开关功能。晶体管可以分为多种类型，包括双极晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）等。三极管是一种特定